| gen. |
лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры 50 мкм - 1 мм, высокий кпд до 50%, возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространённый способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход гетеролазер. Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др. Большой Энциклопедический словарь |
