Terms for subject Microelectronics containing при

Ukrainian	English
автоматизоване розміщення напр. елементів при діалоговому проектуванні	interactive placement
алгоритм відновлення при появі помилки з використанням точок повернення	backward error recovery algorithm (при розробці САПР ВІС)
брегівська дифракція рентгенівського випромінювання при повному відбиванні	X-ray total reflective Bragg diffraction
вирівнювання поверхні напівпровідникової пластини при виготовленні ВІС	large-scale integration surface leveling
середній вихід годних кристалів при однаковому рівні дефектності	isodefect yield (показник якості виробництва ІС)
включення при напрузі нижче порогової	subthreshold turn-on
втрати при перенесенні	transfer loss (напр. носіїв заряду)
втрати при подовжньому перетворенні	longitudinal-conversion transfer loss
втрати при різанні	kerf loss (напр. злитків)
відмова, виявлена при кваліфікаційних випробуваннях	qualification failure
градієнт розподілу домішки при дифузії	diffusion gradient
довговічність при зберіганні	storage life
допуск при масштабуванні	scaled tolerance
допуск при механічній обробці	machining tolerance
експонування при контактній фотолітографії	contact exposure
експонування при проекційній літографії	projection exposure
епітаксійне вирощування при низькому тиску	low-pressure epitaxial growth
епітаксія при атмосферному тиску	atmospheric pressure epitaxy
ефект здиблювання корпусів при паянні	manhatten effect (в методі поверхневого монтажу)
забезпечення безпеки при роботі з токсичними і вибухонебезпечними газами	hazardous gas safety
залишкова деформація при стисненні	compression set
зародкоутворення при епітаксії	epitaxial nucleation
затвердівання при старінні	IC age hardening
зміна електричних параметрів при масштабуванні	electrical scaling
кліматичні випробування при підвищених тиску і температурі	pressure-cooker test
коефіцієнт підсилення при малому рівні сигналу	small-signal amplification
коефіцієнт підсилення при малому рівні сигналів	small-signal gain
коефіцієнт підсилення при розімкненому колі зворотного зв'язку	open-loop gain
маскування при проекційній літографії	projection masking
масштаб зменшення при проекційній літографії	projection reduction scale
навантаження при випробуванні в атмосфері гарячої пари	damp heat stress
неоднорідний розподіл домішки у вигляді смуг при вирощуванні злитків	impurity banding
оксид, сформований при низькотемпературному оксидуванні	low-temperature oxide
оксидування при високому тиску	high-pressure oxidation
оптимізація довжини хвилі при суміщенні	alignment wavelength optimization (фотошаблону з пластиною)
оптичний контроль при яскравій освітленості	bright light examination
пам'ять без руйнування інформації при прочитуванні	nondestructive memory
пам'ять з руйнуванням інформації при зчитуванні	destructive memory
дефектне паяне з'єднання при холодному паянні	cold solder joint
перехід, підтримуваний при певній температурі	temperature controlled junction
поведінка, при якнайгірших тимчасових параметрах	worst-case timing behavior
помилка при послідовній кроковій мультиплікації	step-and-repeat error
помилка суміщення при послідовному формуванні шарів	superposition error
послідовність операцій при осадженні	deposition scheme
пошкодження напр. напівпровідникової пластини при транспортуванні або навантажувально-розвантажувальних операціях	handling damage
провідність при прямому зміщенні	forward-bias conduction
профіль розподілу домішки при іонній імплантації	ion-implantation profile
профіль розподілу температури при випаленні	firing profile
процес, що проводиться при низькому тиску газоподібного середовища	low-pressure process
однокристальний процесор, що припиняє роботу при появі помилки	fail-stop VLSI processor
підсилення при малому рівні сигналу	small-signal amplification
підсилення при малому рівні сигналів	small-signal gain
піролітична реакція при осадженні з парової фази	pyrolytic CVD reaction
реактор для хімічного осадження з парової фази при низькому тиску	LPCVD reactor
рекристалізація при рідинній епітаксії	liquid-phase epitaxial regrowth
рентгенівська спектроскопія при ковзаючих кутах	glancing-angle X-ray spectroscopy
речовини, що утворюються при електричному розряді	discharge products
розміщення при послідовному кроковому експонуванні	step-and-repeat juxtaposition
скидання при збої	discard-at-failure (несправності ІС)
стабільність приладу при високій напрузі	high-voltage stability
струм при зворотному зміщенні	reverse-biased current
струм при прямому зміщенні	forward-biased current
суміщення фотошаблону при проекційній фотолітографії	projection mask alignment
суміщення фотошаблону при фотолітографії з мікрощілиною	proximity mask alignment
суміщення фотошаблону при фотолітографії з щілиною	proximity mask alignment
схема-клямка при скануванні	scan latch
твердість при шліфуванні	lapping hardness
термообробка при невисокій температурі	softbake
термообробка при невисокій температурі	soft bake
термообробка при порівняно високій температурі	hardbake
термообробка при підвищеній температурі	hard bake
тестова пластина, яка застосовується при розробці технологічного процесу	process development wafer
тестування при визначенні годних схем	field testing
точка температура, при якій п'єзоелектрик втрачає свої властивості	Curie point
точковий прокол, що виник при технологічній обробці	processing-induced pinhole
тріодний метод іонного розпилювання при низькому тиску	low-pressure triode method
установка вирощування кристалів при високому тиску	high-pressure crystal grower
установка вирощування монокристалів при високому тиску	high-pressure crystal grower
утворення зародків при рості	growth nucleation
фракціонування надпровідників при певній критичній температурі	Te fractionation
характеристика при зворотному зміщенні	reverse characteristic
характеристика при прямому зміщенні	forward characteristic
хімічне осадження з парової газової фази при зниженому тиску	low-pressure chemical vapor deposition
хімічне осадження з парової фази при атмосферному тиску	atmospheric pressure CVD
хімічне осадження з парової фази при дуже низькому тиску	very low-pressure CVD
хімічне осадження з парової фази при низькому тиску	low-pressure CVD
час затримки поширення сигналу при виключенні	turn-off delay
час затримки поширення сигналу при включенні	turn-on delay
час затримки поширення сигналу при перемиканні	switching delay
шлак, що утворився при лазерному скрайбуванні	laser scribing slag (напівпровідникової пластини)
іонна імплантація при високій густині іонного струму	high-current density implant