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auflösbare Linienbreite von 1 μm | resolvable feature size of 1 μm |
Bauelementstrukturen im 1-μm-Bereich | device geometries in the 1 μm feature region |
Bereich unter 0,1 μm | sub-tenth micron range |
Blasendurchmesser bis zu 1 μm | bubble diameter down to 1 μm |
den Elektronenstrahl rasterförmig über ein Feld von 64 μm × 64 μm ablenken | deflect the electron beam in a raster over a 64μm square field |
den Elektronenstrahl schrittweise um 0,5 μm in x-Richtung führen | step the electron beam by 0.5 μm in the x-direction |
den Koordinatentisch mit einer Genauigkeit von 0,01 μm positionieren | position the X-Y stage with an accuracy of 0.01 μm (einstellen) |
den rechteckigen Querschnitt des Elekronenstrahls zwischen 0,1 und 12 μm Kantenlänge variieren | vary the rectangular cross section between 0.1 and 12 μm on a side |
die Entwicklung der Strukturen bis in den 1-μm-Bereich vorantreiben | push geometries down to 1 μm area |
die Gatelängen von 1 μm auf einige zehntel Mikrometer reduzieren | shrink gate lengths from 1 μm to a few tenths of a micrometre |
die 1-μm-Barriere durchbrechen | cross the barrier of 1 μm |
die Meßmarke mit einer Genauigkeit von 1/32 μm auffinden | find the fiducial mark with an accuracy of 1/32 micron |
Einhaltung der Elementbreite bis auf ± 0,1 μm | feature contral to ± 0.1 μm |
Elektronenstrahl mit 0,5 μm Durchmesser | half-micrometre-diameter electron beam |
erreichbare Linienbreiten auf 0,5 μm reduzieren | advance attainable line widths to 0.5 micron |
etwa 5 μm unterschreiten | go below about 5 micrometres |
Gitterkonstante unter 0,1 μm | sub-0.1 μm periodicity |
Goldschicht von einer Dicke unter 1 μm | layer of gold less than a micrometre thick |
in Abständen von 11,25 μm anordnen | accommodate on an 11.25-pm pitch |
integrierte Schaltkreise mit Strukturbreiten von 2 μm herstellen | produce integrated circuits with 2 μm design rules |
Justiergenauigkeit von 0,1 μm | tenth-micron alignment precision |
kleinste Strukturen von 0,5 μm schreiben | define minimum geometries of 0.5 μm (mit Elektronenstrahl) |
kontaktlose Herstellung von Bauelementen mit Linienbreiten von 3 μm | non-contact production of three micron design rule devices |
Linien und Abstände von 1 μm auflösen | resolve 1 μm lines and spaces |
Linien von weitaus weniger als 1 μm Breite schreiben | draw lines much smaller than 1 μm (Elektronenstrahllithografie) |
Linienrasterstruktur mit einem Rastermaß von 1 μm | 1-μm-wide line and space pattern |
Lithografie für Strukturbreiten von 2,5 μm | 2.5-p.m lithography |
Lösungsweg m | approach |
μm die Wafer bis auf ± 5 μm plan halten | keep the wafers flat to within ± 5 |
μm Größenmarkierung für 1 μm | scale marker for 1 |
μm Mikrolinienstrukturen in der Größenordnung von 1 pm | fine line geometries of the order of 1 |
μm mikrolithografische Versetzungen in Inkrementen von 0,1 μm | microlithographic displacements in increments of 0.1 |
μm regelmäßiger Abstand der Linien von 5 μm | line and space dimension pitch of 5 |
μm Skalierungsbereich von 2 bis 12 μm | scaling range of 2 to 12 |
μm Strukturbreiten in einem großen Variationsbereich von 1,5 μm bis 3,0 μm | features ranging from as small as 1.5 μm to as large as 3.0 |
1-μm-Strukturen | one-micrometre geometries |
μm Strukturgröße über 2,5 pm | feature greater than 2.5 |
mit einem 1 μm dicken Resistfilm beschichten | coat with a one-micron film of photoresist |
mit einer Geschwindigkeit von 0,1 μm in jedem Bildfeld justieren | align to 0.1μm at each exposure field |
nutzbare Elementgröße firn 1- bis 2-μm-Bereich | usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range |
nutzbare Linienbreite firn 1- bis 2-μm-Bereich | usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range |
nutzbare Strukturbreite firn 1- bis 2-μm-Bereich | usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range |
quadratische Mesa mit 40 μm Kantenlänge | square mesa measuring 40 μm on a side |
Rechtecke unterschiedlicher Größe bis zu 5 μm Kantenlänge | rectangles of varying size up to 5 μm square |
Registerbereich 'm | register array |
richtig belichtet an der der 1-μm-Linie benachbarten Kante | properly exposed at the edge adjacent to the 1 μ line |
Schaltkreis mit kleinsten Abmessungen von 1 μm | circuit with least dimensions of 1 μm |
Schaltkreis mit 0,5-μm-Strukturbreiten | half-micron circuit |
Schaltkreiselement von 0,2 μm Breite | circuit line of 0.2 μm width |
Schichten von 0,5 μm Dicke aufschleudern | spin films of 0.5 μm thickness |
sich als 4 μm breite Linien auf dem Wafer abbilden | reproduce as 4 micron wide lines on the wafer (darstellen) |
sich im freien Zustand bis zu 15 μm durchbiegen | bow up to 15 μm in the free state |
Steg von 1 μm Breite | 1 μm-stripe |
Struktur mit Linienbreiten von 1 μm | 1-μm pattern |
Strukturbreite unter 4 μm | feature smaller than 4.0 μm |
Strukturelement unter 1 μm | submicrometre pattern detail |
Strukturelement unter 1 μm | submicrometre feature |
Strukturen im Bereich von 0,5 bis 1 μm | geometry in the 0.5-to-1 μm range |
Strukturen mit Elementbreiten bis zu 0,2 μm scharf abbilden | define patterns with geometries as small as 0.2 micrometre |
Strukturen von 1,0 μm oder mehr erfordern | require geometries of 1.0 μm or greater |
Sub-μm-MOSFET | short channel metal-oxide semiconductor FET |
Unsicherheit von höchstens 0,05 μm | uncertainty of no more than 0.05 μm |
Vektorgröße kleiner als 0,1 μm | vector magnitude less than 0.1 micron |
Verkleinerung der Kanallängen bis zu 2 μm | scaling of channel lengths down to 2 μm |
Überdeckung von Strukturen verschiedener Masken auf einem Substrat mit einer Genauigkeit von 0,1 μm | superposition on a substrate of patterns from several masks to a precision of 0.1 μm |
Überdeckungstoleranz von 0,1 μm zwischen den Ebenen | level to-level registration tolerance of 0.1 μm |