Subject | Russian | English |
nano | архитектура типа комплементарной МОП-структуры | acomplementary metal-oxide-semiconductor architecture |
nano | архитектура типа комплементарной МОП-структуры | CMOS-like architecture |
nano | архитектура типа комплементарной МОП-структуры на основе УНТ | CNT-based CMOS-like architecture |
el. | биполярная МОП-структура | bi MOS |
tech. | биполярная МОП-структура | bipolar MOS |
el. | БИС на МОП структуре | MOS array |
IT | БИС на МОП-структура | MOS LSI |
el. | БИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large scale integration IC |
IT | БИС на МОП-структурах | MOS LSI circuit |
el. | БИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large scale integration circuit |
el. | БИС на МОП-структурах | large-scale integration circuit metal-oxide-semiconductor |
tech. | БИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large-scale integration circuit |
el. | блочно-ориентированная электрически программируемая постоянная память на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
tech. | большая интегральная схема на МОП-структурах | large-scale integration circuit metal-oxide-semiconductor |
mil., avia. | большая интегральная схема на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large scale integration |
mil., avia. | большая интегральная схема на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large scale integrated circuit |
el. | быстродействующая комплементарная МОП-структура | HCMOS |
el. | быстродействующая комплементарная МОП-структура | high-speed complementary metal-oxide semiconductor |
tech. | быстродействующая комплементарная МОП-структура | high-speed CMOS (HS CMOS) |
el. | быстродействующая логическая схема на комплементарных МОП-структурах | high-speed complementary metal-oxide semiconductor |
el. | быстродействующая логическая схема на комплементарных МОП-структурах | HCMOS |
el. | быстродействующая МОП-структура | high-speed MOS |
el. | вариант комплементарной МОП структуры с поликремниевым затвором и окисной изоляцией | isolated oxide polysilicon gate CMOS |
tech. | вертикальная МОП-структура | transverse MOS |
tech. | вертикальная МОП-структура | vertical metal-oxide semiconductor |
microel. | выращивание МОП-структуры | metal-oxide-semiconductor growth |
tech. | выскокачественная МОП-структура | HMOS structure |
tech. | выскокачественная МОП-структура | high-performance MOS structure |
tech. | высоковольтная МОП-структура | high-voltage MOS |
tech. | высококачественная МОП-структура | high-performance MOS |
Makarov. | высококачественная МОП-структура | HMOS high-performance MOS structure |
tech. | высококачественная МОП-структура | high-performance metal-oxide-semiconductor |
Makarov. | высококачественная МОП-структура | high-performance MOS HMOS structure |
tech. | высокопороговая МОП-структура | high-threshold MOS |
tech. | двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | vertical double-diffused metal oxide-semiconductor (MOS) |
tech. | двухдиффузионная МОП структура с V-образной канавкой | V-groove double-diffused metal-oxide-semiconductor (MOS) |
tech. | двухдиффузионная МОП-структура | double-diffused MOS transistor |
el. | двухдиффузионная МОП-структура | double-diffused mosfet |
tech. | двухдиффузионная МОП-структура | double-diffused MOS |
tech. | двухдиффузионная МОП-структура | double diffused metal-oxide-semiconductor |
media. | дефект типа «постоянно включённый затвор» на входе МОП-структуры | stuck-on fault (не сводящийся к константной неисправности) |
media. | дефект типа «постоянно отключённый затвор» на входе МОП-структуры | stuck-open fault (сводящийся к константной неисправности на соответствующем входе) |
Makarov. | дефекты МОП-структур | defects in MOS system |
IT | динамическая комплементарная МОП-структура | dynamic complementary MOS |
tech. | динамическая комплементарная МОП-структура | dynamic CMOS |
gen. | динамическая комплементарная МОП-структура | DYCMOS |
IT | динамический элемент на МОП-структурах | dynamic MOS device |
tech. | диффузионная МОП-структура с самосовмещением | diffusion self-aligned MOS |
tech. | дополняющая МОП-структура | complementary MOS |
tech. | дополняющая МОП-структура | complementary MOS structure |
tech. | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | beam addressed MOS |
tech. | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | beam addressable MOS memory |
tech. | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | beam accessed metal-oxide-semiconductor |
mil., avia. | запоминающее устройство с произвольной выборкой на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor random access memory |
el. | затвор МОП-структуры | MOS gate |
el. | затвор МОП-структуры | metal-oxide-semiconductor gate |
Makarov. | затвор МОП-структуры | MOS gate (metal-oxide-semiconductor gate) |
Makarov. | ЗУ на МОП-структуре | MOS memory device |
tech. | измерение воздействия радиации на комплементарные приборы с МОП-структурой | CMOS radiation effects measurement |
nano | инвертор на транзисторе с МОП-структурой в режиме обеднения | depletion-type metal-oxide-semiconductor transistor inverter |
nano | инвертор на транзисторе с МОП-структурой в режиме обогащения | enhancement-type metal-oxide-semiconductor transistor inverter |
tech. | инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate injection MOS |
mil., avia. | интегральная схема на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor integrated circuit |
mil., avia. | интегральная схема с МОП-структурой n-типа | n-type metal-oxide semiconductor |
el. | ионная имплантация для изготовления МОП-структур | metal-oxide-semiconductor implantation |
nano | ионная имплантация для формирования МОП-структур | MOS ion implantation |
el. | ионно-имплантированная ИС на МОП-структурах | ion-implanted MOS integrated circuit |
el. | ионно-имплантированная ИС на МОП-структурах | ion-implanted MOS IC |
el. | ионно-имплантированная схема на МОП-структурах | ion-implanted MOS circuit |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS integrated-circuit device |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary symmetry MOS IC |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS integrated circuit |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS IC |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS integrated circuit |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS IC |
nano | ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary metal-oxide-semiconductor circuit |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | COSMOS circuit |
el. | ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary symmetry MOS integrated circuit |
nano | ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS circuit |
nano | ИС на комплементарных МОП-структурах, созданная на основе фотолитографии | photolithography-based CMOS circuit |
el. | ИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor IC |
el. | ИС на МОП-структурах | MOS circuit |
el. | ИС на МОП-структурах | metal-oxide-silicon integrated circuit |
el. | ИС на МОП-структурах | MOS integrated circuit |
el. | ИС на МОП-структурах | MOS IC |
el. | ИС на МОП-структурах | metal-oxide-silicon IC |
el. | ИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor integrated circuit |
el. | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами | aluminum-gate MOS integrated circuit |
el. | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами | aluminium-gate MOS integrated circuit |
IT | ИС на МОП-транзисторах или МОП-структурах | MOS array |
el. | p-канальная МОП структура | p-channel MOS |
el. | n-канальная МОП структура | n-channel MOS |
tech. | n-канальная МОП-структура | n-channel MOS |
tech. | n-канальная МОП-структура | n-MOS structure |
tech. | p-канальная МОП-структура | p-channel metal oxide semiconductor |
tech. | p-канальная МОП-структура | p-channel MOS |
microel. | p-канальная МОП-структура | p-channel MOS construction |
el. | n-канальная МОП-структура | n MOS |
IT | p-канальная МОП-структура | p-channel MOS structure |
IT | n-канальная МОП-структура | NMOS design |
IT | n-канальная МОП-структура | n-channel MOS structure |
el. | p-канальная МОП-структура | p MOS |
microel. | n-канальная МОП-структура | n-channel MOS construction |
tech. | p-канальная МОП-структура | p-MOS structure |
tech. | n-канальная МОП-структура | n-channel metal-oxide-semiconductor |
mil., avia. | p-канальная МОП-структура с алюминиевым затвором | p-channel aluminium gate metal-oxide-semiconductor |
el. | p-канальный прибор на МОП-структурах | pmos device |
el. | p-канальный прибор на МОП-структурах | p-channel metal-oxide-semiconductor device |
Makarov. | p-канальный прибор на МОП-структуре | PMOS device (p-channel MOS device) |
el. | p-канальный прибор на МОП-структуре | p-channel MOS device |
el. | p-канальный прибор на МОП-структуре | PMOS device |
Makarov. | p-канальный прибор на МОП-структуре | p-channel MOS device (PMOS device) |
IT | канальный транзистор с МОП-структурой | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
el. | комплементарная дополняющая МОП-структура | complementary MOS |
el. | комплементарная МОП структура на сапфировой подложке | silicon-on- sapphire complementary MOS |
mil., avia. | комплементарная МОП-структура | complementary metal-oxide-semiconductor |
tech. | комплементарная МОП-структура | complementary MOS structure |
tech. | комплементарная МОП-структура | complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура | complementary metal-oxide semiconductor |
microel. | комплементарная МОП-структура | CMOS |
el. | комплементарная МОП-структура | complementary metal oxide semi-conductor (ssn) |
el. | комплементарная МОП-структура | complementary metal oxide semi conductor (ssn) |
IT | комплементарная МОП-структура | complementary metal oxide semiconductor |
IT | комплементарная МОП-структура | CMOS structure |
IT | комплементарная МОП-структура | complementary metal-oxide silicon |
el. | комплементарная МОП-структура | complementary metal-oxide-semiconductor structure (ssn) |
tech. | комплементарная МОП-структура | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure |
tech. | комплементарная МОП-структура | complementary symmetric MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor |
Makarov. | комплементарная МОП-структура | complementary MOS structure (КМОП-структура) |
tech. | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке | silicon-on-sapphire complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide semiconductor |
Makarov. | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide-semiconductor (SOS-CMOS) |
IT | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью компоновки | high-density complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью компоновки | high-density complementary metal-oxide-semiconductor |
gen. | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью компоновки | HCMOS |
tech. | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки | high-density complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки | high density complementary metal-oxide-semiconductor |
tech. | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов | high-density complementary metal-oxide-semiconductor |
tech. | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов | high-density complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric-isolated complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked complementary MOS |
tech. | комплементарная МОП-структура фирмы "Хитачи" | Hitachi complementary MOS |
tech. | комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetric MOS |
tech. | комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor |
IT | комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetry MOS |
tech. | комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure |
nano | конденсатор с МОП-структурой | MOS capacitor |
nano | конденсатор с МОП-структурой | metal-oxide-semiconductor capacitor |
nano | кремниевая ИС на комплементарных МОП-структурах | silicon-based CMOS circuit |
IT | кремниевая МОП-структура с изоляцией нитридом кремния | metal-thick nitride-silicon |
IT | кремниевая МОП-структура с толстым изолирующим слоем | metal-thick oxide-silicon |
el. | кремниевый затвор p-канальной МОП-структуры | pmos silicon gate |
el. | кремниевый затвор n-канальной МОП-структуры | nmos silicon gate |
el. | кремниевый затвор p-канальной МОП-структуры | p-channel silicon gate |
el. | кремниевый затвор n-канальной МОП-структуры | n-channel silicon gate |
Makarov. | кремниевый затвор МОП-структуры с каналом n-типа | NMOS silicon gate |
Makarov. | кремниевый затвор МОП-структуры с каналом p-типа | p-channel silicon gate |
Makarov. | кремниевый затвор МОП-структуры с каналом p-типа | PMOS silicon gate |
Makarov. | кремниевый затвор МОП-структуры с каналом n-типа | n-channel silicon gate |
tech. | кремний-сапфировая МОП-структура | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide semiconductor |
tech. | кремний-сапфировая МОП-структура | silicon-on-sapphire complementary MOS |
el. | кристалл с МОП-структурой | MOS chip |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором | stacked-gate avalanche injection MOS |
el. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | avalanche-injection stacked gate mos |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate avalanche injection MOS |
el. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FA MOS |
el. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | floating-gate avalanche-injection mos |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации | electrically erasable floating-gate avalanche injection MOS structure |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающими затворами | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
tech. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающими затворами | floating-gate avalanche injection MOS |
tech. | логическая МОП-структура со скрытой нагрузкой | buried load logic MOS |
el. | логическая схема на комплементарных МОП-структурах | complementary metal-oxide semiconductor |
el. | логическая схема на комплементарных МОП-структурах | CMOS |
nano | логическая схема на МОП-структурах | metal oxide semiconductor |
el. | логическая схема на низковольтных комплементарных МОП-структурах | LVCMOS |
el. | логическая схема на низковольтных комплементарных МОП-структурах | low-voltage complementary metal-oxide semiconductor |
microel. | масштабированная МОП-структура | scaled MOS |
el. | матрица на МОП-структурах | MOS array |
el. | метод изготовления МОП-структур, в котором длина канала регулируется с помощью процесса "дифференциальной диффузии" примесей | diffusion self-alignment |
el. | метод создания МОП структуры | selective oxidation |
el. | микропроцессор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor microprocessor |
tech. | микропроцессор на МОП-структурах | MOS microprocessor |
microel. | микропроцессор с МОП-структурой | MOS machine |
media. | микросхема памяти с использованием запоминающих элементов на МОП-структурах с плавающим затвором и электронов с высокой энергией для заряда этих элементов, заряды считываются прикладываемым электрическим полем | flash memory |
microel. | многозатворная МОП-структура | multigate structure |
tech. | многостоковая МОП-структура | multidrain MOS |
mil., avia. | многостоковая МОП-структура | multi-drain metal-oxide-semiconductor |
el. | многостоковые МОП структуры | multi-drain MOS |
el. | МОП структура | metal oxide semiconductor (ssn) |
el. | МОП структура, изготовленная методом двойной имплантации | double implanted MOS |
el. | МОП структура, изготовленная с применением локального окисления | local oxidation MOS |
tech. | МОП структура "кремний на сапфире" | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
tech. | МОП структура "кремний на сапфире" | MOS silicon-on-sapphire |
el. | МОП структура лавинно-инжекционного типа с пакетным наборным затвором | stacked-gate avalanche-injection MOS |
el. | МОП структура, на которой регистрация и считывание информации осуществляется с помощью электронного луча | beam addressed MOS |
el. | МОП структура с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance MOS |
el. | МОП структура с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance metal oxide semiconductor (ssn) |
el. | МОП структура с изоляцией из SiO2 и Al2O3 | metal-alumina-oxide-semiconductor |
el. | МОП структура с канавками V-образного профиля | V-groove MOS |
media. | МОП- структура с М-областью в виде проволок | multiwire MOS structure |
el. | МОП структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned gate MOS |
el. | МОП структура с улучшенными характеристиками | high performance MOS |
el. | МОП структура с улучшенными характеристиками | high-performance metal oxide semiconductor (ssn) |
el. | МОП структура со скрытым окисным слоем | buried oxide MOS |
el. | МОП структура, формируемая двойной диффузией | double-diffused MOS |
house. | МОП технология с биполярными структурами | bipolar-enhanced MOS |
el. | МОП транзистор с вертикальной структурой, изготовленный способом двойной диффузии | vertical double-diffused MOS |
IT | МОП-структура | MOS structure |
IT | n-МОП-структура | n-channel MOS structure |
IT | МОП-структура | NMOS design n- |
IT | p-МОП-структура | p-channel MOS structure |
IT | МОП-структура | MOS design |
IT | МОП-структура | metal-oxide-semiconductor (Bricker) |
Makarov. | n-МОП-структура | n-MOS structure |
Makarov. | p-МОП-структура | p-channel MOS |
Makarov. | p-МОП-структура | p-MOS structure |
tech. | МОП-структура | MOS |
tech. | МОП-структура | p-channel MOS p- (канальная) |
tech. | МОП-структура | p-MOS structure p |
tech. | n-МОП-структура | n-channel metal-oxide-semiconductor |
tech., abbr. | МОП-структура | metal oxide semiconductor |
el. | МОП-структура | metal-oxide-semiconductor configuration |
el. | МОП-структура | metal-oxide semiconductor |
tech. | МОП-структура | metal-oxide-semiconductor structure |
Makarov. | n-МОП-структура | n-channel MOS |
Makarov. | МОП-структура | MOS structure (metal-oxide-semiconductor structure) (MOS structure; структура металл-оксид-полупроводник) |
Makarov. | МОП-структура | metal-oxide-semiconductor structure (MOS structure; структура металл-оксид-полупроводник) |
el. | МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристалла | back-gate MOS |
tech. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused MOS transistor |
tech. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double diffused metal-oxide-semiconductor |
el. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused metal-oxide-semiconductor |
el. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffusion MOS |
el. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | D MOS |
tech. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused MOS |
Makarov. | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused metal-oxide semiconductor |
tech. | МОП-структура, изготовленная методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
tech. | МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
microel. | МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | implanted structure |
tech. | МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
tech. | МОП-структура кремний-алюминий | silicon and aluminium MOS |
tech. | МОП-структура на сапфире | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
tech. | МОП-структура на сапфире | MOS silicon-on-sapphire |
microel. | МОП-структура на сплошной подложке | built-in-test CMOS |
el. | МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения | enhancement/depletion mos |
tech. | МОП-структура, образованная анодированием металла | anodized MOS |
tech. | МОП-структура, работающая в режиме обогащения | enhancement MOS |
microel. | МОП-структура с алюминиевым затвором | MOS aluminium-gate configuration |
tech. | МОП-структура с алюминиевыми затворами | aluminum-gate MOS |
mil., avia. | МОП-структура с анодно-оксидированным изолирующим слоем | anodized MOS |
tech. | МОП-структура с барьером Шотки | Schottky-barrier MOS |
el. | МОП-структура с биполярной инжекцией | dual-injection MOS |
el. | МОП-структура с биполярной инжекцией и плавающим затвором | dual-injection floating-gate MOS |
IT | МОП-структура с вертикальной канавкой | vertical groove MOS structure |
microel. | МОП-структура с вертикальными транзисторами | vertical MOS |
el. | МОП-структура с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance metal-oxide-semiconductor |
el. | МОП-структура с высокой плотностью упаковки | high-density MOS |
tech. | МОП-структура с высокой степенью интеграции | high-density MOS |
IT | МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory gate MOS |
tech. | МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory MOS |
tech. | МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory gate MOS |
gen. | МОП-структура с высокой термостойкостью | RMOS |
tech. | МОП-структура с горизонтальным переключением | horizontal switching MOS |
IT | МОП-структура с двойной диффузией | DMOS structure |
el. | МОП-структура с двойной диффузией | double-diffused MOS |
tech. | МОП-структура с двумя слоями поликремния | double poly MOS |
tech. | МОП-структура с двумя слоями поликремния | double-polysilicon MOS |
tech. | МОП-структура с двумя слоями поликремния | double polysilicon MOS |
Makarov. | МОП-структура с двумя слоями поликремния | double polysilicon |
Makarov. | МОП-структура с двумя слоями поликремния | double poly |
tech. | МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric isolated MOS |
el. | МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric-isolated mos |
tech. | МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric-insulated MOS |
tech. | МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric insulated MOS |
microel. | МОП-структура с затворами из поликристаллического кремния | single-poly gate MOS |
tech. | МОП-структура с затворами Шотки | Schottky-barrier MOS |
tech. | МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла | refractory metal-oxide-semiconductor |
microel. | МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла | refractory MOS |
tech. | МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла | refractory gate MOS |
microel. | МОП-структура с затвором Шоттки | Schottky-barrier MOS |
el. | МОП-структура с изолированным затвором | isolated-gate mos |
tech. | МОП-структура с изолированным затвором | insulated gate MOS |
tech. | МОП-структура с изолированным металлическим затвором | metal-insulator-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с изолированными затворами | isolated gate MOS |
tech. | МОП-структура с изолированными затворами | insulated-gate MOS |
tech. | МОП-структура с изолированными затворами | isolated-gate MOS |
tech. | МОП-структура с изолированными затворами | insulated gate MOS |
tech. | МОП-структура с изоляцией из окиси кремния и окиси алюминия | metal-alumina-oxide semiconductor |
mil., avia. | МОП-структура с изоляцией из окиси кремния и окиси алюминия | metal-aluminum-oxide-semiconductor |
el. | МОП-структура с инжекционным затвором | gate-injection mos |
el. | МОП-структура с и-образной канавкой | v-groove MOS |
el. | МОП-структура с и-образной канавкой | v MOS |
tech. | МОП-структура с ионной имплантацией | ion implanted MOS |
IT | МОП-структура с ионной имплантацией | ion-implanted MOS |
tech. | МОП-структура с ионной имплантацией | ion-metal-oxide-semiconductor |
IT | МОП-структура с ионным внедрением | IMOS structure |
IT | МОП-структура с использованием локального окисления | local oxidation MOS |
tech. | МОП-структура с использованием локального окисления | local-oxidation complementary MOS |
house. | МОП-структура с P-каналом | P-channel MOS |
house. | МОП-структура с N-каналом | N-channel MOS |
el. | МОП-структура с каналом р-типа | p-channel MOS |
tech. | МОП-структура с каналом р-типа | p-channel metal oxide semiconductor |
el. | МОП-структура с каналом n-типа | n-channel mos |
Gruzovik, el. | МОП-структура с каналом p-типа | PMOS (p-channel metal-oxide semiconductor; p-channel MOS) |
Gruzovik, el. | МОП-структура с каналом p-типа | p-channel metal-oxide semiconductor (abbr. PMOS) |
Gruzovik, el. | МОП-структура с каналом n-типа | NMOS (n-channel metal-oxide semiconductor; n-channel MOS) |
Gruzovik, el. | МОП-структура с каналом n-типа | n-channel MOS (abbr. NMOS) |
Gruzovik, el. | МОП-структура с каналом p-типа | p-channel MOS (abbr. PMOS) |
IT | МОП-структура с каналом n-типа | n-channel circuit |
el. | МОП-структура с каналом n-типа | n MOS |
el. | МОП-структура с каналом p-типа | p MOS |
Gruzovik, el. | МОП-структура с каналом n-типа | n-channel metal-oxide semiconductor (abbr. NMOS) |
tech. | МОП-структура с каналом n-типа | n-channel metal-oxide-semiconductor |
microel. | МОП-структура с кремниевым затвором | silicon-gate MOS |
IT | МОП-структура с кремниевым затвором | silicon-gate device |
tech. | МОП-структура с кремниевым затвором | silicon-gate-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с кремниевым затвором | silicon gate MOS |
tech. | МОП-структура с кремниевыми затворами | silicon-gate technology MOS |
tech. | МОП-структура с кремниевыми затворами | silicon-gate MOS |
tech. | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
IT | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором | floating-gate avalanche-injection MOS |
comp. | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором | floating gate avalanche injection MOS |
tech. | МОП-структура с локальным окислением | local-oxidation MOS |
tech. | МОП-структура с локальным окислением | local oxidation MOS |
IT | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | BEAMOS (beam addressed MOS ssn) |
tech. | МОП-структура с металлическими затворами | metal-gate MOS |
tech. | МОП-структура с микронными размерами элементов | micron MOS |
tech. | МОП-структура с микронными размерами элементов | micrometer MOS |
microel. | МОП-структура с многоуровневыми затворами | composite gate MOS structure (ssn) |
gen. | МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor |
el. | МОП-структура с многоуровневыми затворами | composite-gate mos structure |
Makarov. | МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked avalanche-injection metal-oxide-semiconductor (SAMOS) |
Makarov. | МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor (SAMOS) |
gen. | МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked avalanche-injection metal-oxide-semiconductor |
el. | МОП-структура с нижним затвором | back-gate mos |
tech. | МОП-структура с нижним затвором | back gate MOS |
tech. | МОП-структура с нижними затворами | back-gate MOS |
tech. | МОП-структура с V-образной канавкой | V MOS |
el. | МОП-структура с V-образной канавкой | V-groove metal-oxide-semiconductor structure (ssn) |
tech. | МОП-структура с V-образной канавкой | V-groove MOS |
tech. | МОП-структура с V-образной канавкой | V-groove metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с V -образными канавками | VMOS structure |
IT | МОП-структура с V-образными канавками | V-metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с V -образными канавками | V-groove MOS structure |
microel. | МОП-структура с однотипными каналами | single-channel MOS |
microel. | МОП-структура с питанием через подложку | substrate-fed MOS |
el. | МОП-структура с плавающим затворам | floating-gate mos |
tech. | МОП-структура с плавающим затвором | floating gate structure |
microel. | МОП-структура с плавающим затвором | floating-gate structure (ssn) |
tech. | МОП-структура с плавающим затвором | floating gate MOS structure |
el. | МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией | floating-gate avalanche-injection MOS structure (FAMOS structure ssn) |
el. | МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией | FAMOS structure (= floating-gate avalanche-injection MOS structure ssn) |
tech. | МОП-структура с плавающими затворами | floating-gate MOS |
tech. | МОП-структура с поверхностными затворами | surface-gate MOS |
tech. | МОП-структура с поверхностными затворами | surface gate MOS |
mil., avia. | МОП-структура с постепенно наращиваемым слоем окисла | metal-graded oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
tech. | МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с пропорционально уменьшенными размерами элементов | scaled-down MOS |
gen. | МОП-структура с пропорционально уменьшенными размерами элементов | scaled MOS |
tech. | МОП-структура с пропорционально-уменьшенными размерами элементов | scaled MOS |
tech. | МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением | adjustable-threshold MOS |
tech. | МОП-структура с регулируемым порогом | adjustable threshold MOS |
tech. | МОП-структура с резистивными затворами | resistive-gate MOS |
microel. | МОП-структура с резисторным затвором | resistive-gate MOS |
telecom. | МОП-структура с Р-каналом | P-channel MOS |
tech. | МОП-структура с самосовмещённым затвором | self aligned-gate metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с самосовмещённым затвором | self-aligned gate MOS |
IT | МОП-структура с самосовмещённым затвором | self-aligned-gate MOS |
gen. | МОП-структура с самосовмещённым затвором | SAGMOS |
tech. | МОП-структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS |
gen. | МОП-структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned gate metal-oxide-semiconductor |
IT | МОП-структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned gate MOS structure |
Makarov. | МОП-структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned (gate) metal-oxide-semiconductor (SAMOS) |
gen. | МОП-структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned-gate metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | polysilicon self-aligned MOS |
tech. | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | poly self-aligned MOS |
tech. | МОП-структура с субмикронными размерами элементов | submicron MOS |
tech. | МОП-структура с субмикронными размерами элементов | submicrometer MOS |
microel. | МОП-структура с толстым оксидным слоем | mtos structure |
tech. | МОП-структура с тремя слоями поликремния | triple-polysilicon MOS |
tech. | МОП-структура с тремя слоями поликремния | triple-poly MOS |
tech. | МОП-структура с тугоплавкими электродами затвора | refractory MOS |
tech. | МОП-структура с углублённой оксидной изоляцией | buried oxide MOS |
tech. | МОП-структура с углублённым оксидным слоем | buried oxide MOS |
tech. | МОП-структура с углублённым оксидным слоем | buried-oxide MOS |
tech. | МОП-структура с удлинённым каналом | long MOS |
tech. | МОП-структура с улучшенными характеристиками | high-performance metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с улучшенными характеристиками | high-performance MOS |
tech. | МОП-структура с уменьшенными размерами элементов | XMOC scaled-down metal-oxide-semiconductor |
tech. | МОП-структура с управляющим p-n- переходом | junction-gate MOS |
tech. | МОП-структура с управляющим p-n переходом | junction gate MOS |
tech. | МОП-структура с электронно-лучевой адресацией | beam-addressed MOS |
el. | МОП-структура со скрытым каналом | buried-channel mos |
tech. | МОП-структура со скрытым каналом | buried channel MOS |
tech. | МОП-структура со скрытым оксидом | buried-oxide MOS |
tech. | МОП-структура со скрытым оксидом | buried-oxide MOS structure |
el. | МОП-структура сформированная двойной ионной имплантацией | double-implanted MOS |
tech. | МОП-структура типа "кремний на сапфире" | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
tech. | МОП-структура типа "кремний на сапфире" | MOS silicon-on-sapphire |
tech. | МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии | double-diffused MOS structure |
tech. | МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии | double-diffused MOS |
tech. | МОП-структура, формируемая методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
tech. | МОП-структура, формируемая методом ионной имплантации | ion-implanted MOS |
tech. | МОП-структура, формируемая методом четырёхкратного совмещения | quadruple self-aligned MOS |
microel. | МОП-транзистор с х-образной структурой | xmos transistor |
microel. | МОП-транзистор с щелевой структурой | t-mos transistor |
IT | МОП-транзисторах или МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor memory |
el. | низковольтная комплементарная МОП-структура | LVCMOS |
el. | низковольтная комплементарная МОП-структура | low-voltage complementary metal-oxide semiconductor |
tech. | низкопороговая МОП-структура | low-threshold MOS |
comp. | оперативное запоминающее устройство на МОП-структурах | MOS RAM |
tech. | п- МОП-структура | n-channel MOS (канальная) |
nano | память на МОП-структурах | metal oxide semiconductor |
tech. | переключатель на МОП-и "металл-диэлектрик-полупроводник" структурах | MOS metal-insulator-silicon switch |
Makarov. | ПЗС типа "пожарная цепочка" на МОП-структурах | MOS bucket brigade |
tech. | планарная МОП-структура с горизонтальным каналом | lateral-planar MOS |
tech. | полевой МОП-транзистор с вертикальной структурой | vertical MOS field-effect transistor |
el. | полевой транзистор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor field-effect device |
tech. | полевой транзистор с МОП структурой затвора | metal oxide semiconductor field effect transistor |
telecom. | полевой транзистор с МОП структурой затвора | MOS field effect transistor |
tech. | полевой транзистор с МОП структурой затвора | MOS field-effect transistor |
house. | полевой транзистор с МОП-структурой затвора | MOS field effect transistor |
tech. | полевой транзистор с МОП-структурой, образованной анодированием металла | anodized MOSFET |
microel. | полупроводниковая пластина с МОП-структурами | MOS wafer |
tech. | полупроводниковый прибор с вертикальной МОП-структурой | vertical metal-oxide semiconductor |
mil., avia. | постоянное запоминающее устройство на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor read-only memory |
Makarov. | прибор на комплементарной МОП-структуре | CMOS device |
el. | прибор на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS device |
IT | прибор на МОП-структурах | MOS device |
IT | прибор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor device |
el. | прибор на МОП-структурах | d-mos device |
comp. | прибор на МОП-структурах | metall-oxide semiconductor device |
nano | прибор на МОП-структуре | MOS device |
nano | прибор на МОП-структуре | metal-oxide-semiconductor device |
el. | прибор на цепочках МОП структур | bucket-brigade device |
tech. | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией | beam addressed MOS |
tech. | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией | beam addressable MOS memory |
tech. | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией | beam accessed metal-oxide-semiconductor |
el. | процессор на МОП-структурах | MOS processor |
tech. | р-МОП-структура | p-channel metal oxide semiconductor |
el. | разновидность МОП структуры, отличающаяся высокой нагревостойкостью | refractory gate MOS |
el. | разновидность МОП-структур с высоким пороговым напряжением | high-voltage technology |
el. | резистор на МОП-структуре | MOS resistor |
tech. | резистор на МОП-структуре | metal-oxide-semiconductor resistor |
tech. | р-канальная МОП-структура | p-channel metal oxide semiconductor |
tech. | самосовмещённая МОП-структура | self-aligned MOS |
el. | структура МОП, в которой слой окисла постепенно наращивается разными методами | metal-graded oxide-semiconductor |
el. | структура МОП-структура с плавающим затвором и лавинной | float-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor structure |
house. | сформированная двойной диффузией МОП структура | D-MOS structure |
tech. | технология двухдиффузионных МОП-структур | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
tech. | технология двухдиффузионных МОП-структур | double-diffused MOS technology |
tech. | технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor technology |
tech. | технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах | MOS technology |
el. | технология изготовления ИС "вертикальной" структуры, в котором один общий затвор управляет n-и p-канальными МОП транзисторами | joint metal-oxide-semiconductor |
Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | D-MOS technology (double-diffused MOS technology) |
Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology (D-MOS technology) |
Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS V-MOS technology |
Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-MOS V-groove MOS technology |
el. | технология изготовления МОП структур методом двойной диффузии | double-diffusion MOS technology |
tech. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology |
tech. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
comp. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double diffusion MOS technology |
tech. | технология изготовления МОП-структур с высокой плотностью упаковки | high-density MOS technology |
tech. | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией | double-diffused MOS technology |
gen. | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией | DMOST |
el. | технология изготовления схем на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor technology |
Makarov. | технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | D-MOS technology (double-diffused MOS technology) |
Makarov. | технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology (D-MOS technology) |
Makarov. | технология ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS V-MOS technology |
Makarov. | технология ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-MOS V-groove MOS technology |
microel. | технология МОП-структур | MOS technology |
microel. | технология МОП-структур | MOS processing |
tech. | технология МОП-структур с двумя слоями поликристаллического кремния | double-layer polysilicon technique |
tech. | технология производства схем на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS technology |
el. | тиристор с управляющей МОП-структурой | MOS-controlled thyristor |
microel. | тонкий слой оксида в МОП-структуре | MOS oxide |
tech. | транзистор с МОП-структурой | MOS transistor |
el. | транзистор с МОП-структурой, изготовленный методом двойной диффузии | D-MOS transistor (ssn) |
el. | транзистор с МОП-структурой, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOS transistor (ssn) |
tech. | триак с МОП-структурой | Triac MOS device |
el. | триггер на МОП-структурах | MOS FF (ssn) |
el. | триггер на МОП-структурах | MOS flip flop (ssn) |
el. | триггер на МОП-структурах | MOS flipflop (ssn) |
tech. | трёхмерная МОП-структура | three-dimensional MOS |
el. | флэш-память на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
Makarov. | формирователь сигналов цветного изображения на МОП-структуре | MOS color imaging device |
el. | электрически программируемая постоянная память на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
el. | электрически программируемое ПЗУ на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
tech. | электрически программируемое постоянное запоминающее устройство на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory (MOS EAROM) |
IT | элемент на МОП-структурах | MOS device |
IT | элемент на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor device |
media. | эффект резкого возрастания тока в ИС, вызываемый статическим разрядом или рентгеновским излучением и действующий разрушительно на МОП-структуры | «snapback» effect |
media. | эффект резкого возрастания тока в ИС, вызываемый статическим разрядом или рентгеновским излучением и действующий разрушительно на МОП-структуры | «snapback» |
el. | ячейка на МОП-структурах | MOS cell |
el. | ячейка на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor cell |
microel. | ёмкость МОП-структуры | MOS capacity |