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| align to 0.1μm at each exposure field | mit einer Geschwindigkeit von 0,1 μm in jedem Bildfeld justieren |
| 1:1 alignment | Justier- und Belichtungsverfahren mit 1:1-Projektion |
| array having 0.1 mm pitch between diameters | Anordnung mit einem Rastermaß von 0,1 mm |
| array with 128 photodiodes on 0.1 mm pitch | Anordnung mit 128 Fotodioden im Rastermaß von 0,1 mm |
| augment by 1 | um 1 erhöhen |
| bubble diameter down to 1 μm | Blasendurchmesser bis zu 1 μm |
| 10:1 camera | Reduktionskamera mit zehnfacher Verkleinerung |
| circuit structure for a fan-in of 1 and a fan-out of 3 | Schaltkreisstruktur für einen Eingangslastfaktor 1 und einen Ausgangslastfaktor 3 |
| circuit with least dimensions of 1 μm | Schaltkreis mit kleinsten Abmessungen von 1 μm |
| concurrently decremented by 1 | gleichzeitig um 1 dekrementiert |
| cross the barrier of 1 μm | die 1-μm-Barriere durchbrechen |
| data compression as large as 15:1 | Datenverdichtung bis zu 15:1 |
| decrement by 1 | um 1 dekrementieren |
| delineate 1 μm features | 1-pm-Strukturelemente schreiben |
| determine exact stage position to tolerances ranging from 1/8 to 1/48 wavelength of a HeNe laser | die genaue Tischposition mit einer Toleranz von 1/8 bis 1/48 Wellenlänge eines Helium-Neon-Lasers bestimmen |
| device geometries in the 1 μm feature region | Bauelementstrukturen im 1-μm-Bereich |
| direct 1×E-beam writing on the wafer | Elektronenstrahldirektschreiben auf Wafer |
| direct 1×E-beam writing on the wafer | Direktschreiben der Struktur auf Wafer mit Elektronenstrahl |
| 10:1 direct-step-on-wafer photoprinter | optische Belichtungsanlage mit zehnfach verkleinerter Projektionsübertragung |
| direct-step-on-wafer 10:1 projection aligner | optischer Projections- und Überdeckungsrepeater mit Wfacher Bildverkleinerung |
| direct-step-on-wafer 10:1 projection aligner | Scheibenrepeater mit 10 fach verkleinerter schrittweiser Projektionsübertragung |
| direct-step-on-wafer system using 10:1 optical projection | Scheibenrepeater mit 10:1-Projektion |
| direct-step-on-wafer system using 10:1 optical projection | Wafer-Stepper mit zehnfacher optischer Verkleinerung |
| 10:1 direct-write aligner | Scheibenrepeater mit Wfacher Bildverkleinerung |
| dissipate about 1 watt | eine Verlustleistung von etwa 1 Watt haben |
| draw lines much smaller than 1 μm | Linien von weitaus weniger als 1 μm Breite schreiben (Elektronenstrahllithografie) |
| DSW 10:1 optical projection aligner | Wafer-Stepper mit optischer 10:1 -Projektionsübertragung |
| exposure uniformity across the 1 cm² field | Gleichmäßigkeit der Belichtung in dem Feld von 1 cm² |
| fabricate VLSI circuits with 1 micron geometries or smaller | VLSI-Schaltkreise mit Strukturabmessungen im Mikrometer- oder Submikrometerbereich herstellen |
| feature contral to ± 0.1 μm | Einhaltung der Elementbreite bis auf ± 0,1 μm |
| features ranging from as small as 1.5 μm to as large as 3.0 | μm Strukturbreiten in einem großen Variationsbereich von 1,5 μm bis 3,0 μm |
| find the fiducial mark with an accuracy of 1/32 micron | die Meßmarke mit einer Genauigkeit von 1/32 μm auffinden |
| fine line geometries of the order of 1 | μm Mikrolinienstrukturen in der Größenordnung von 1 pm |
| formation of features in the 1 μm range | Bildung von Strukturelementen im 1-pm-Bereich |
| 1:1 full-wafer lithography | Lithografie mit globaler Waferbelichtung durch 1:1-Projektion |
| geometry in the 0.5-to-1 μm range | Strukturen im Bereich von 0,5 bis 1 μm |
| identify the erroneous bit by a corresponding binary 1 | das fehlerhafte Bit durch eine entsprechende binäre 1 kennzeichnen |
| 1:1 image projection | Bildprojektion im Maßstab 1:1 (Projektionslithografie) |
| image transfer at a 1:1 ratio | Strukturübertragung im Verhältnis 1:1 |
| image with a demagnification of 10:1 onto a wafer | mit einer Verkleinerung von 10:1 auf den Wafer abbilden |
| ion-implanted resistor with low 1/f noise | ionenimplantierter Widerstand mit niedrigem 1/f-Rauschen |
| least dimensions in the 1 to 2 μm range | kleinste Abmessungen im 1 bis 2-Mikrometerbereich |
| 10:1 lens | Objektiv mit zehnfacher Verkleinerung |
| 10:1 lens | 10:1-Verkleinerungsobjektiv |
| level to-level registration tolerance of 0.1 μm | Überdeckungstoleranz von 0,1 μm zwischen den Ebenen |
| logic 1 | logischer Zustand 1 |
| logic 1 state | logischer Einszustand |
| logic 1 state | logischer Zustand 1 |
| 1 μm line-space array | Linienstruktur mit dem Tastverhältnis 1:1 (μm) |
| 1-μm pattern | Struktur mit Linienbreiten von 1 μm |
| 1×master mask | Muttermaske |
| microlithographic displacements in increments of 0.1 | μm mikrolithografische Versetzungen in Inkrementen von 0,1 μm |
| 1-mm-square deflection field | Ablenkfeld von 1 mm Kantenlänge |
| 1 μm-stripe | Steg von 1 μm Breite |
| 1-μm-wide line and space pattern | Linienrasterstruktur mit einem Rastermaß von 1 μm |
| object to image distance at a 10:1 image reduction | Objektabstand bei zehnfacher Bildverkleinerung |
| operate over a 1-to-5 megahertz range | im 1- bis 5-MHz-Bereich arbeiten |
| optical 1:1 projection lithography system | fotolithografische 1:1-Projektionsanlage |
| optical 1:1 projector overlay inaccuracy | Überdeckungsungenauigkeit der optischen 1:1 -Projektionsanlage |
| 10:1 optical stepper | Scheibenrepeater mit 10facher Projektionsverkleinerung |
| output a 1 in bit position 0 of the data bus | eine 1 in Bitposition 0 des Datenbusses ausgeben |
| overall economics of 1C fabrication | Gesamtrentabilität der Schaltkreisfertigung |
| package up to eight chips within a 1 in. square module | bis zu acht Chips in einem Baustein von 1 Quadratzoll kapseln |
| 1:1 printed wafer | im 1:1-Projektionsverfahren belichteter Wafer |
| 1 × printer | 1:1-Justier- und Belichtungsanlage |
| 1:1 printing | Belichtung mit 1:1-Projektion |
| project IC patterns with a 5:1 reduction ratio onto a wafer | Schaltkreisstrukturen mit 5facher Verkleinerung auf einen Wafer projizieren |
| 1:1 projection aligner | 1:1-Projektionsjustier- und Belichtungsanlage |
| 1:1 projection aligner | 1:1-Projektionsbelichtungsanlage |
| properly exposed at the edge adjacent to the 1 μ line | richtig belichtet an der der 1-μm-Linie benachbarten Kante |
| push geometries down to 1 μm area | die Entwicklung der Strukturen bis in den 1-μm-Bereich vorantreiben |
| reduce 30:1 | dreißigfach verkleinern |
| 10:1 reduction | zehnfache Verkleinerung |
| require geometries of 1.0 μm or greater | Strukturen von 1,0 μm oder mehr erfordern |
| resolvable feature size of 1 μm | auflösbare Linienbreite von 1 μm |
| resolve 1 μm lines and spaces | Linien und Abstände von 1 μm auflösen |
| rise to a logic 1 | auf logisch Eins schalten |
| scale as 1/K | sich im Verhältnis von 1/K verkleinern |
| scale marker for 1 | μm Größenmarkierung für 1 μm |
| scan an arc-shaped image field of 1 mm width across the wafer | ein bogenförmiges Bildfeld von 1 mm Breite rasterartig über den Wafer führen |
| 1:1 scanner | Waferscanner mit 1:1 Projektionsbelichtung |
| set the output to a logic 1 | den Ausgang auf logisch Eins setzen |
| shrink gate lengths from 1 μm to a few tenths of a micrometre | die Gatelängen von 1 μm auf einige zehntel Mikrometer reduzieren |
| 2:1 step-and-repeat aligner | Überdeckungsrepeater mit einer Projektionsverkleinerung von 2:1 |
| 10:1 step-and-repeat camera | Repeater mit zehnfacher Verkleinerung |
| 10:1 step-and-repeat camera | Repeatkamera mit zehnfacher Verkleinerung |
| 10:1 step-and-repeat camera | Fotorepeater mit zehnfacher Verkleinerung |
| step-and-repeat 10:1 microreduction camera system | 10:1-Fotorepeater |
| step-and-repeat projection with demagnification 10:1 | schrittweise Projektionsübertragung mit zehnfacher Bildverkleinerung |
| 10:1 step-and-repeat system | Projektionsrepeater mit zehnfacher Verkleinerung |
| 10:1 stepper system | Scheibenrepeater mit zehnfacher Projektionsverkleinerung |
| step-repeat imaging of a transparent foil mask at 10:1 | schrittweise Bildübertragung einer transparenten Folienmaske mit zehnfacher Verkleinerung |
| stuck-at 1 | haftend an Logikpegel 1 |
| stuck-at-0 and stuck-at-1 faults | Haftfehler |
| sub-0.1 μm periodicity | Gitterkonstante unter 0,1 μm |
| superposition on a substrate of patterns from several masks to a precision of 0.1 μm | Überdeckung von Strukturen verschiedener Masken auf einem Substrat mit einer Genauigkeit von 0,1 μm |
| threshold shift of less than 0.1 V | Schwellenspannungsverschiebung von weniger als 0,1 V |
| trim to 1.3x the nominal value | auf das 1,3fache des Nennwertes abgleichen |
| two-dimensional array of 1s and 0s | Matrix von Einsen und Nullen |
| usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range | nutzbare Elementgröße firn 1- bis 2-μm-Bereich |
| usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range | nutzbare Linienbreite firn 1- bis 2-μm-Bereich |
| usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range | nutzbare Strukturbreite firn 1- bis 2-μm-Bereich |
| vary the rectangular cross section between 0.1 and 12 μm on a side | den rechteckigen Querschnitt des Elekronenstrahls zwischen 0,1 und 12 μm Kantenlänge variieren |
| vector magnitude less than 0.1 micron | Vektorgröße kleiner als 0,1 μm |
| 1:1 wafer printing | Waferbelichtung im Abbildungsmaßstab 1:1 |
| 1:1 working production mask | Arbeitsmaske für 1:1-Übertragung |
