 |
<< >>
| Terms for subject Semiconductors (434 entries) |
| 源区 (场效应晶体管的) | źródło (tranzystora polowego) | |
| 输出回路有效感应面积 | powierzchnia skuteczna pętli wyjściowej hallotronu | |
| 投影峰点 (隧道二极管的) | punkt szczytowy przesunięty (diody tunelowej) | |
| 肖特基势垒 | bariera Schottky’ego | |
| 厚膜 (膜集成电路的) | warstwa gruba (układu scalonego warstwowego) | |
| 膜 (膜集成电路的) | warstwa (układu scalonego warstwowego) | |
| 膜集成电路 | układ scalony warstwowy | |
| 增强型场效应晶体管 | tranzystor polowy z kanałem wzbogaconym | |
| 增强工作模式 | tryb pracy ze wzbogaceniem | |
| 沟道 (场效应晶体管的) | kanał (tranzystora polowego) | |
| 管芯 | struktura | |
| 红外发光二极管 | dioda emitująca w zakresie podczerwieni | |
| 红外发光二极管 | dioda emitująca w podczerwieni | |
| 红外发光二极管 | dioda na podczerwień | |
| 麦克斯韦-玻尔兹曼速度分布律 | prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna | |
| 麦克斯韦-玻尔兹曼统计 | rozkład Maxwella-Boltzmanna | |
| 控制电流 (霍尔发生器的) | prąd sterujący (generatora Halla) | |
| 控制电流灵敏度 (霍尔探头的) | czułość prądowa (sondy Halla) | |
| 控制电流回路有效感应面积 | powierzchnia skuteczna pętli prądu sterującego | |
| 控制电流端 (霍尔发生器的) | końcówka prądu sterującego hallotronu |