 |
| |||
| смещение подложки (явление, основанное на напряжении,на котором подключен контакт (четвертый канал МОП-структуры). Данный эффект возникает тогда, когда подложкане смещается на тот же самый уровеньнапряжения, что и исток (в основномпри формировании плоскостного диода с p-n-переходом: напр., в случаеn-канального МОП-транзистора). malafeev) | |||