| Russian | German |
| адресная область | Adressbereich (памяти) |
| адресная область | Adressenbereich (памяти) |
| активная область | aktiv-normaler Betriebsbereich |
| активная область | aktiver normaler Betriebsbereich |
| активная область | normaler Arbeitsbereich |
| активная область | aktiver Bereich |
| активная область | aktiv-normaler Bereich |
| активная область базы | aktive Basiszone |
| активная область базы | aktives Basisgebiet |
| активная область базы | aktiver Basisbereich |
| активная часть базовой области | aktive Basiszone |
| активная часть базовой области | Aktivteil der Basiszone |
| базовая область | Basis |
| базовая область | Basisschicht |
| базовая область | Basisgebiet |
| базовая область с проводимостью р-типа | p-Basisgebiet |
| время спада в области насыщения | Sättigungsabfallzeit |
| вывод изображений на разделённый на области экран | Split-Screen-Darstellung |
| высокоомная область | hochohmiger Bereich |
| германиевый кристалл полупроводниковой ИС полупроводниковая область с проводимостью n-типа с электронной проводимостью | leitender Pfad leitender n-leitendes |
| граница между линейным участком характеристики и областью насыщения | Abschnürgrenze |
| граница области стеклования | Grenze des Verglasungsbereichs |
| граничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
| граничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
| диффузионная коллекторная n+-область | n+-Kollektor-Diffusions-Gebiet |
| диффузионная область | Diffusionszone |
| диффузионная область | Diffusionsgebiet |
| диффузионная область | eindiffundiertes Gebiet |
| диффузионная p-область | p-diffundierte Zone |
| диффузионная область | Diffusionsbereich |
| запоминающий элемент с конусной изолирующей оксидной областью | taperisolierte Zelle |
| запретная область | verbotenes Band |
| запретная область | verbotene Zone |
| запретная область | verbotener Energiebereich |
| запретная область | Energielücke |
| запрещённая область | verbotener Energiebereich |
| запрещённая область | verbotenes Band |
| запрещённая область | verbotene Zone |
| запрещённая область | Energielücke |
| затворная область | Gatezone |
| изолирующая область | Isolationszone |
| изолирующая область | Isolationsgebiet |
| изолирующая p+-область | p+-Sperrschichtzaun |
| изолирующая n-область | n-Isolationsgebiet |
| изолирующая SiO2-область | SiO2-Isolationsgebiet |
| изолирующая р-область | p-Isolationsgebiet |
| имплантация каналоограничивающих областей | Kanalstopperimplantation |
| имплантация областей с индуцированным каналом | Enhancementimplantation |
| имплантация областей с МДП-структурой с обеднением канала | Depletionimplantation |
| имплантированная каналоограничивающая область | Kanalstopperimplantation |
| имплантированная область с индуцированным каналом | Enhancementimplantation |
| имплантированная область с МДП-структурой с обеднением канала | Depletionimplantation |
| интегральная структура с совмещёнными областями | verschmolzene Struktur |
| истоковая область | Source-Zone |
| истоковая область | Sourcegebiet |
| истоковая область | Quellengebiet |
| квазинейтральная область | quasineutrales Gebiet |
| квазинейтральная область | quasineutraler Bereich |
| коллекторная область | Kollektorschicht |
| коллекторная область | Kollektorgebiet |
| коллекторная область | Kollektorzone |
| коллекторная область | Kollektor |
| коллекторная n+-область | n+-Kollektorgebiet |
| коллекторная область | Kollektorbereich |
| контакт к области базы | Basiskontakt |
| p+-контакт p+-области | p+-Kontakt |
| контакт n+-области | n+-Kontakt |
| контакт р+-области | p+-Kontakt |
| контактная n+-область | n+-Kontaktgebiet |
| контактная область истока | Sourcekontaktgebiet |
| контактная область стока | Drainkontaktgebiet |
| контактная р+-область | p+-Kontaktgebiet |
| конусная изолирующая оксидная область | Taperregion |
| легирование базовой области | Basisdotierung |
| легированная область | Dotierungsgebiet |
| легированная область | Dotierungsbereich |
| линейная область | aktiver Bereich |
| линейная область | ohmscher Bereich |
| линейная область | linearer ohmscher Bereich |
| линейная область | linearer Bereich |
| линейная область | linearer Arbeitsbereich |
| линейная область | Triodenbereich |
| линейная область | Flussbereich (диода с p-n-переходом, транзистора) |
| линейная область | Durchlassbereich (диода с p-n-переходом, транзистора) |
| линейная область рабочих характеристик | linearer Kennlinienbereich (МДП-транзистора) |
| малосигнальная область | Kleinsignalbereich |
| маска для формирования изолирующих областей | Isolationsmaske |
| меза-область | MesaBereich |
| многодоменная область | Mehrdomänengebiet (в диоде Ганна) |
| надпороговая область | Postthreshold-Bereich |
| обеднённая область | Verarmungsbereich |
| обеднённая область | Verarmungsgebiet |
| обеднённая область | Sperrschichtbereich |
| обеднённая область | Sperrschichtzone |
| обеднённая область | Verarmungsraumladungszone |
| обеднённая область | Entblößungszone |
| область активного режима | aktiver normaler Betriebsbereich |
| область активного режима | normaler Arbeitsbereich |
| область активного режима | aktiv-normaler Betriebsbereich |
| область активного режима | aktiv-normaler Bereich |
| область базы | Basisgebiet |
| область барьера | Übergangszone |
| область барьера | Übergangsgebiet |
| область барьера | Sperrzone |
| область взаимодействия | Wechselwirkungszone |
| область высоких характеристик | High-end-Bereich |
| область генерации полупроводникового лазера в виде полоски с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
| область фазового дрожания | Jitterbereich |
| область дырочной проводимости | p-leitendes Gebiet |
| область запирания | Sperrzone |
| область затвора | Torbereich |
| область затвора | Gatezone |
| область захвата | Rekombinationsgebiet |
| область захвата | Einfangzone |
| область захватывания | Rekombinationsgebiet |
| область захватывания | Einfangzone |
| область сильной инверсии | Inversionsbereich |
| область инверсно-активного режима | aktiv-inverser Betriebsbereich |
| область истока | Sourcegebiet |
| область истока | Source-Zone |
| область истока | Quellengebiet |
| область истощения | Erschöpfungsbereich |
| область истощения | Verarmungsgebiet |
| область истощения | Entblößungsgebiet |
| область истощения примесных центров | Erschöpfungsbereich (диапазон температур, в котором ионизованы все примесные атомы в полупроводнике, но собственная проводимость ещё незначительна) |
| область истощения примесных центров | Erschöpfungsgebiet (диапазон температур, в котором ионизованы все примесные атомы в полупроводнике, но собственная проводимость ещё незначительна) |
| область истощения примесных центров | Bereich der Störstellenerschöpfung |
| область колебаний | Schwingungsbereich |
| область коллектора | Kollektorgebiet |
| область коллектора | Kollektorzone |
| область коллектора | Kollektorbereich |
| область кристаллизации | Kristallisationsgebiet |
| область модуляции | Aussteuerungsbereich |
| область модуляции | Aussteuerbereich |
| область надёжной работы | Safe Operation Area |
| область надёжной работы | Safe Operation Area |
| область надёжной работы | sicherer Arbeitsbereich (транзистора) |
| область надёжной работы транзистора при обратном смещении | sicherer Arbeitsbereich bei in Sperrichtung gepolter Basis-Emitterstrecke |
| область надёжной работы транзистора при обратном смещении | Reverse Bias Safe Operation Area |
| область накопления | Speichergebiet |
| область накопления заряда | Speichergebiet |
| область накопления носителей | Akkumulationebereich (заряда) |
| область насыщения | Übersteuerungebereich (биполярного транзистора) |
| область насыщения | Einschnürgebiet (рабочих характеристик МДП-транзистора) |
| область насыщения | Einschnürbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора) |
| область невысоких характеристик | Low-end-Bereich |
| область неопределённости | Unbestimmtheitsbereich |
| область низких характеристик | Low-end-Bereich |
| область объёмного заряда | Raumladungsschicht |
| область объёмного заряда | Raumladungszone |
| область объёмного заряда | Raumladungsgebiet |
| область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| область отсечки | Sperrbereich (напр., биполярного транзистора) |
| область отсечки | Sperrzone |
| область отсечки | Abschnürbereich |
| область перевозбуждения | Übersteuerungsbereich |
| область перекрытия канала | Einschnürgebiet |
| область перекрытия канала | Einschnürbereich |
| область перемодуляции | Übersteuerungsbereich |
| область переноса носителей | Transferbereich |
| область перехода | Übergangszone |
| область перехода | Sperrzone |
| область перехода | Übergangsschicht |
| область p-n-перехода | pn-Übergangszone |
| область поверхностного заряда | Oberflächenladungszone |
| область поверхностного заряда | Oberflächenladungsgebiet |
| область подпороговый напряжения | Unterschwellenspannungsbereich (Бадриддин Рахматов) |
| область пробоя | Durchbruchsgebiet |
| область пробоя | Durchschlagsgebiet |
| область пробоя | Durchbruchgebiet |
| область пропускания | Flussbereich |
| область пространственного заряда | Raumladungsbereich |
| область пространственного заряда | Raumladungszone |
| область пространственного заряда | Raumladungsschicht |
| область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| область работы транзистора | Betriebsbereich des Transistors |
| область работы транзистора | Arbeitsbereich des Transistors |
| область рабочих характеристик | Kennlinienbereich (транзистора) |
| область распределённого сопротивления | Bahngebiet |
| область распределённого сопротивления базы | Basisbahngebiet |
| область распределённого сопротивления n+-коллектора | n+-Kollektorbahngebiet |
| область распределённого сопротивления коллектора | Kollektorbahngebiet |
| область распределённого сопротивления эмиттера | Emitterbahngebiet |
| область рассеяния | Streübereich |
| область расслаивания | Entmischungsgebiet |
| область резерва неионизированных примесных центров | Bereich der Störstellenreserve |
| область р-типа | p-Bereich |
| область с проводимостью р-типа | p-leitendes Gebiet |
| полупроводниковая область с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleitergebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-leitende Zone |
| область р+-типа | p+-Zone |
| область р+-типа | p+-Gebiet |
| область Рэлея | Rayleigh-Bereich |
| область с дырочной проводимостью | p-Zone |
| область с дырочной проводимостью | p-Gebiet |
| область с дырочной проводимостью | p-Bereich |
| область с проводимостью р-типа | p-Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-Zone |
| область с проводимостью р-типа | p-Bereich |
| область с проводимостью n-типа | n-Gebiet |
| область с проводимостью p-типа | p-Bereich |
| область с проводимостью p-типа | p-Zone |
| область с проводимостью n-типа | n-Zone |
| область с проводимостью n-типа | n-Bereich |
| область с электронной проводимостью | n-Gebiet |
| область с электронной проводимостью | n-Zone |
| область с электронной проводимостью | n-Bereich |
| область сильной инверсии | Postthreshold-Bereich |
| область скопления | Anhäufungszone (носителей) |
| область слабой инверсии | Subthresholdbereich |
| область собственного поглощения | Grundgitterabsorptionsgebiet |
| область собственной проводимости | i-leitendes Gebiet |
| область собственной проводимости | intrinsic-Zone |
| область собственной проводимости | Eigenleitungszone |
| область собственной проводимости | Eigenleitungsschicht |
| область собственной проводимости | i-Gebiet |
| область собственной проводимости | i-Zone |
| область собственной проводимости | Eigenleitungsgebiet |
| область средних характеристик | Midrange-Bereich |
| область стабилизации | Z-Bereich |
| область стеклования | Verglasungsbereich |
| область стока | Senkengebiet |
| область стока | Senkenzone |
| область стока | Senkenbereich |
| область стока | Draingebiet |
| область стока | Drainzone |
| область стока | Drainbereich |
| область, сформированная методом ионной имплантации | Ionenimplantationszone |
| область n+-типа | n+-Zone |
| область n-типа | n-Bereich |
| область с проводимостью n-типа | n-leitende Zone |
| область с проводимостью n-типа | n-leitendes Gebiet |
| полупроводниковая область с проводимостью n-типа | n-leitendes Halbleitergebiet |
| полупроводниковая область с проводимостью n-типа | leitender n-leitendes Pfad |
| область p+-типа | p+-Zone |
| область p-типа | p-Bereich |
| область p-типа | p-Zone |
| область n-типа | n-Zone |
| область n+-типа | n+-Gebiet |
| область с проводимостью i-типа | i-Gebiet |
| область тока насыщения | Sättigungsstromgebiet |
| область торможения | Bremsbereich |
| область усиления | aktiv-normaler Betriebsbereich |
| область усиления | normaler Arbeitsbereich (биполярного транзистора) |
| область усиления | aktiver normaler Betriebsbereich |
| область усиления | aktiv-normaler Bereich (биполярного транзистора) |
| область формирования рисунка на подложке | Substratschreibfläche |
| область хранения команд | Befehlsraum |
| область электронной проводимости | n-leitendes Gebiet |
| область эмиттера | Emitterzone |
| область эмиттера | Emittergebiet |
| область эмиттера | Emitterbereich |
| обогащённая область | Anreicherungsgebiet |
| оверлейная область | Überlagerungsbereich (памяти) |
| оксид на канальной области | Channel-Oxid |
| омическая область | ohmscher Bereich |
| омическая область | linearer ohmscher Bereich |
| оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Stromverdrängung |
| оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Stromverdrängungseffekt |
| оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Feldverdrängung |
| охранная p+-область | p+-Isolationsrahmen |
| охранная p+-область | Isolationsrahmen |
| охранная область | Isolationsrahmen |
| охранная р+-область | p+-Isolationsrahmen |
| охранная р+-область | Isolationsrahmen |
| падение напряжения на области распределённого сопротивления | Bahnspannungsabfall |
| пассивная часть базовой области | passive Basiszone |
| пассивная часть базовой области | Passivteil der Basiszone |
| перемещение многодоменной области | Mehrdomänenwanderung (в диоде Ганна) |
| ПЗС с самосовмещёнными областями | selbstjustiertes |
| ПЗС с самосовмещёнными областями | selbstjustiertes CCD |
| пограничная область | Kontaktzone |
| пограничная область | Randbereich |
| пограничная область | Berührungsschicht |
| подзатворная область | Gatezone |
| подпороговое область | Unterschwellbereich (Бадриддин Рахматов) |
| полевой транзистор с гексагональными p-областями | Hexagonal FET |
| полевой транзистор с гексагональными р-областями | HEXFET |
| полевой транзистор с гексагональными р-областями | Hexagonal FET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки на арсениде галлия с самосовмещёнными n+-областями истока и стока | n+selbstjustierender GaAs-MESFET |
| полупроводниковая область | Halbleiterzone |
| полупроводниковая область | Halbleitergebiet |
| пределы области модуляции | Aussteuerungsgrenzen |
| предпороговая область | Subthresholdbereich |
| предпробойная область | Vordurchbruchsbereich |
| предпробойная область | Vordurchbruchsgebiet |
| приграничная область объёмного заряда | Raumladungsrandschicht |
| приграничная область p-n-перехода | Sperrschichtrandzone |
| приграничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
| приграничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
| приграничный слой обеднённой области | Sperrschichtrand |
| примесная область | Störstellenbereich |
| примесная область | Störstellengebiet |
| примесная область | Fremdstoffgebiet |
| приповерхностная область | oberflächennahe Zone |
| приповерхностная область | Oberflächenzone |
| приповерхностная область | Randschicht |
| приповерхностная область | Oberflächengebiet |
| приповерхностная область пространственного заряда | Oberflächenraumladungszone |
| пролётная область | Laufzeitgebiet |
| промежуточная область | Zwischengebiet |
| промежуточная область | Zwischenzone |
| р+-область | p+-Zone |
| р+-область | p+-leitendes Gebiet |
| р-область | p-Bereich |
| полупроводниковая р-область | p-leitendes Halbleitergebiet |
| р+-область | p+-Gebiet |
| рабочая область | Betriebsbereich |
| разделительная n-область | n-Isolationsgebiet |
| разделительная р-область | p-Isolationsgebiet |
| разупорядоченная область | ungeordneter Bereich |
| рассасывание неосновных носителей в области базы | Ausräumen der Basis |
| резистивная область | Widerstandsgebiet |
| резистивная область | Widerstandsbereich |
| рекристаллизационная область | Rekristallisationszone |
| рекристаллизационная область | Rekristallisationsgebiet |
| рекристаллизованная область | Rekristallisationsgebiet |
| рекристаллизованная область | Rekristallisationszone |
| сильное легирование контактной области коллектора | n+Kollektoranschlussdotierung |
| сильное легирование контактной области коллектора | n+-Kollektoranschlussdotierung |
| скрытая область распределённого сопротивления коллектора | vergrabenes Kollektorbahngebiet |
| слаболегированный слой кремния между p и n-областями | PSN |
| стоковая область | Senkenzone |
| стоковая область | Drainzone |
| стоковая область | Senkengebiet |
| стоковая область | Draingebiet |
| стоковая область | Drainbereich |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| ток рассасывания неосновных носителей в базовой области | Basisausräumstrom (биполярного транзистора при переключении) |
| транзистор с обеднённой нагрузочной областью | Verarmungslasttransistor |
| транзистор с обеднённой нагрузочной областью | Depletion Load Transistor |
| транзисторные схемы с совмещёнными областями | MTL-Schaltkreise |
| триодная область | Triodenbereich |
| указатель рабочей области | Arbeitsbereichzeiger (памяти) |
| уровень легирования базовой области | Basisdotierung |
| характеристика полупроводникового прибора в области насыщения | Sättigungscharakteristik |
| четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
| четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
| шаблон для формирования диффузионных областей | Diffusionsmaske |
| экран, разделённый на области | geteilter Bildschirm |
| электрод n+-области | n+-Elektrode |
| электрод р+-области | p+-Elektrode |
| электронный ток, протекающий через область базы | Basisflussstrom (при нормальном включении транзистора) |
| элементарная область Вейса | Weißscher Elementarbezirk |
| эмиттерная область | Emitterbereich |
| эмиттерная область | Emittergebiet |
| эмиттерная область | Emitter |
| эмиттер-ная область | Emittergebiet |
| эмиттер-ная область | Emitterzone |
| эмиттер-ная область | Emitterbereich |
| эпитаксиальная область | Epitaxialbereich |
| ёмкость области объёмного заряда | Raumladungskapazität |
| ёмкость области пространственного заряда | Raumladungskapazität |
