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Terms for subject Microelectronics containing der | all forms | exact matches only
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Abbild der Elektronenstrahlquelleelectron source image (Elektronenstrahllithografie)
Abbild der ersten Blendeimage of the first aperture (Elektronenstrahllithografie)
Abbildungs- und Formtreue der Strukturenfidelity of the geometries
Abfall der Ausgangsspannungdecay of the output voltage
Abhängigkeit von der Gatespannungdependency upon gate voltage
Ablauf der Innenbondvorgängeinner lead bonding sequence
Ablenkung an der Markenkantedeflection at mark edge
abrupter Übergang an der Grenzschicht zwischen Epitaxieschicht und Substratabrupt transition at the epi-substrate interface
Abschlußwiderstand der Busleitungbus termination
Absorptionsmarke auf der Maskeabsorbing mark on the mask
Abstand der Anschlüsselead spacing
Abstand der Punktstrahlenbeam spacing
Abstand des Wafers von der besten Fokusebenedistance of the wafer from the plane of best focus
Abstand in der Strukturgap in the pattern
Abweichung der Fotoresistdicke vom Mittelwertdeviation of the photoresist thickness from the mean value
Abweichung von der normalen Befehls folgejump (s.a. branch)
Abwinkeln der Anschlußbeinebending of pins
aktuelle Version der Dateicurrent version of the file
Algebra der LogikBoolean logic
alle Bausteine der Reihe nach durchprüfencheck all modules in order
allmählicher Übergang an der Grenzschicht zwischen Epitaxialschicht und Substratgradual transition at the episubstrate interface
an der Unterseite angelötetbottom-brazed (Gehäuseanschlüsse)
an die Grenzen der optischen Lithografie herankommenapproach the limits of optical lithography
Anfang der Speicherflächebeginning of the recording area
annähernde Lage der Justiermarkeapproximate location of the fiducial mark
Anordnung der Bauelementelayout of components
Anordnung der Chipfunktionselementefloor plan of the chip
Anordnung der Daten in einem Satzarrangement of data in a record
Anpassung nach der Fehlerquadratmethodeleast-square-error fit
Anschluß der Zwischenträgerbrückelead attachment
Anteil der von Elektronen besetzten Haftstellenfraction of traps occupied by electrons
Anwachsen der Schaltkreiskomplexitätintegrated circuit complexity increase
Anwachsen der Schaltkreiskomplexitätintegrated circuit complexity growth
Anweisung in der Auftragssprachejob-control Statement
Anwendung der direkten Strukturübertragung auf den Waferdirect-step-on-wafer application
Anwendung der lithografischen Mikrostrukturerzeugungfine line lithographic application
Anzahl der Anschlüsselead count
Anzahl der Ladungsträgeramount of carriers
Arbeitsaufwand der Kapselunglabour content of packages
Arbeitsweise der selbsttätigen Regelungfeedback control action
Astigmatismus der Sondeastigmatism of the probe
auf der Konsole anzeigendisplay on the console
auf der Oberfläche absorbierenabsorb on to the surface
Aufbewahrung der Datendata retention
Auffindung der Meßmarkefiducial mark location
Auffächerung auf der abfallenden Schräge vom Chip zum Substratfan-out on slope (Spreizung der Zwischenträgerbrücken)
Auffächerung fin Höhe der Chipoberflächefan-out on level (Spreizung der Zwischenträgerbrücken)
Aufhebung der Speicherzuordnungdeallocation of storage
Auflösung der A-D-Wandlunganalogue-digital resolution
Auflösung der belichteten Flächedissolution of the exposed area (in Positivresists)
Auflösung der unbelichteten Flächedissolution of the unexposed area (in Negativresists)
Aufrechterhaltung der Ladungcharge retention
aus der Schmelze ziehengrow from the melt (Kristalle)
aus der Serienfertigung kommencome off the production line
Ausbeute der Endfertigungfinal yield
Ausdehnung der isolierenden Sperrschicht in das Substratextension of the insulating depletion layer into the substrate
Ausdehnung der VLSI-Technik in den Submikrometerbereichextension of VLSI technology into submicrometre geometries
Ausdrucken während der Ausführungexecutive dumping
Ausfall der Gleichstromversorgungd.c. dump (eines Computers)
Ausgangsposition der Positionierungsmarkehome position of the cursor
Ausgleichsverfahren nach der Fehlerquadratmethodeleast-squares fit technique
Ausmaß der Selbstdotierungamount of autodoping
Ausrichtung der Zwischenträger zu den Bondhügeln der Chipsalignment of the tape leads to the chip bumps
automatisches Folienbonden mit der aktiven Chipseite nach untenflip-TAB
automatisches Folienbonden mit der aktiven Chipseite nach untenface-down TAB
Beaufsichtigung der Elektronenstrahlanlage durch einen Vollbeschäftigtenfull-time operator attendance at the E-beam machine
Bedienung der Elektronenstrahlanlage durch einen Vollbeschäftigtenfull-time operator attendance at the E-beam machine
Befehle in der halben Zeit ausführenexecute instructions in half the time
Befestigung auf der Leiterplatteattachment to p.c. board
begrenzter Umfang der Anschlußbelegunglimited number of external pin connections
bei der Belichtungswellenlänge stark absorbierenabsorb strongly at the exposing wavelength
Belegungsdauer der ZentraleinheitCPU busy time
Belichtung der zweiten oder höheren Ebeneexposure of the second or higher level (auf einem Wafer)
Berechnung der Kovarianzfunktioncomputation of the covariance function
Beschränkung der Belichtungsanlageexposure tool limitation
Beschränkung der Fotolithografielimitation of optical lithography
Beschädigung der Magnetplatte durch den Lese-Schreib-Kopfhead crash
Betriebsart der Feldzusammensetzungfield compositional mode
Beugung des Lichts an den Kanten der Strukturelementediffraction of light at the edges of features in the patterns
Beugungsring an der Strukturkantediffraction ring at feature edge
Bildung der Außenanschlüsseformation of leads
Bildung der Oxidmaskeformation of oxide mask
Bildzusammensetzung der Wafer- und Retikelmarkenimage composition of both the wafer and reticle marks
bis zu zehn unbelichtete rechteckige Flächen innerhalb der Matrix für Teststrukturen freilassenleave up to ten unexposed rectangular areas within the array for non-primary patterns
Blende der Projektionsoptikf-number of the projection optics (optische Projektionslithografie)
Blendenzahl der Projektionsoptikf-number of the projection optics (optische Projektionslithografie)
Bonden mit der Chipkontaktseite nach obenface-up bonding
Bonden mit der Chipkontaktseite nach untenface-down bonding
Breite an der Grenzschichtinterface width (zwischen Resist und Substrat)
Breite der aktiven Zoneactive region length
Breite der Verarmungszonedepletion-region width
Böschungsbreite der Linieline edge width
Böschungsbreite der Linienline edge width
Böschungsprofil der Linie im Positivresistline edge profile in positive resist
chemische Abscheidung aus der Gasphasechemical vapour deposition
das Chip direkt mit der Montageplatte verbindeninterconnect the chip directly to the board
das darunterliegende Material unter Beachtung der Abmessungen ätzenetch the underlying material with dimensional control
das Fotoresist auf der Oberfläche eines Wafers mit den Strukturen eines Retikels belichtenexpose the photoresist on the surface of a wafer to the patterns on a reticle
das Resist in direkten Kontakt mit der Maske bringenbring the resist into direct contact with the mask
das Schaltkreislayout unter Berücksichtigung der Entwurfsregeln ausführenlay out the circuit according to a set of design rules
Daten der Elementstrukturdevice design data
Datenpunkt in der Matrixdata point in the array
Datenumwandlung von der äußeren Darstellungdata transformation from the external representation
Defektelektronendichte an der Oberflächehole density at the surface
Defektretikel der Strukturdefect reticle of the pattern
Dekollimation der Beleuchtungdecollimation of the illumination
den Fotolack auf der Scheibe belichtenexpose the photoresist on the wafer
den Kunden über eine Telefonleitung mit der Anlage verbindenlink the customer to the system via a telephone line
den sicheren Sitz der Leiterplatte in der Steckverbindung gewährleistenkeep the board securely seated in the connector
den Strahl sequentiell zu den zu belichtenden Elementen der Chipstruktur führendirect the beam sequentially to the elements of the chip pattern to be exposed
den Zustand der Logik erfassencapture the state of the logic
der Bedeutung nach verarbeitenhandle in order of importance
der Konsole eine formatierte Auflistung eingebenenter at the console a formatted listing auf
der Leiterplattenverbindungen automatisch herstellenautoroute 80 % of the p.c. board/to 80 %
der optimale Umfangoptimum scale
Detailfeinheit der Strukturfineness of the structure of the pattern
Dicke der Epitaxialschichtepitaxy thickness
Dicke der Epitaxialschichtepitaxial thickness
die Anzahl der Funktionen je Chip erhöhenincrease the number of functions per chip
die Anzahl der Schritte verringerndecrease stepping
die Auflösungsgrenzen der Lichtoptik annähernd erreichenapproach the resolution limits of light optics
die Bearbeitung der Anforderungen durch die Peripherie veranlassencause the requests to be executed by peripherals
die Behandlung der Unterbrechung abschließencomplete the service of the interrupt
die Belichtungswellenlängen während der Justierung sperrenblock exposing wavelengths during alignment
die den der aktuellen Aufgabe am besten entsprechenden Speicherplatz wähltbest-fit method (Gegensatz: first-fit method)
die Durchführung der Datenübertragung einem getrennten Gerät übertragendelegate communications management to a separate device
die Flexibilität der Anlage erhöhenadd to the unit's flexibility
die gesamte Automatisierung der Waferfertigung erzwingenforce the complete automation of wafer fabrication
die gesamte Automatisierung der Waferfertigung erzwingenforce the complete automation of wafer fab
die Gültigkeit der Testchipdaten nachweisenestablish the validity of test chip data
die heutigen Grenzen der IC-Bauelementabmessungen erweiternextend the present limits of IC device dimensions
die Implantationsschicht unter der Oberfläche vergrabenbury the implanted layer beneath the surface (verdecken)
die inneren Enden der Folienstruktur auf die Bondhügel eines Chips bondenbond the inner leads of the tape pattern to the bumped terminal pads of an IC chip
die Maske in der endgültigen Größe herstellenfabricate the mask at final size
die Strahlposition während des Schreibens der folgenden Streifen justierenadjust the beam position during the writing of subsequent stripes
die Störatome aus der Schicht eindiffundierendiffuse the impurity from the film
die Störstellen aus der Waferoberfläche abziehenextract the defects from the top of the wafer
die Testmöglichkeit der Anlage erweiternexpand the system's testing capability
die vollständige Struktur für alle Chips in natürlicher Größe der endgültigen Strukturelemente enthaltencontain the complete pattern for all dice at the actual size of the final features (1 ×)
die Zahl der Speicherzellen erweiternextend the number of memory cells
die Zuverlässigkeit der Anlage gefährdenjeopardize system reliability (aufs Spiel setzen)
Diffusion von der Vorderseite des Wafers in die Schichtdiffusion from front side of wafer into film
Diffusionsvermögen von Elektronen und Defektelektronen in der Basisdiffusivity of electrons and holes in the base
digitale Beschreibung der Strukturdigital description of the pattern
Direktbearbeitung der Wafer durch Elektronenstrahlenelectron-beam direct processing on wafers
Direktbelichtung der Wafer durch Elektronenstrahlenelectron-beam direct processing on wafers
Direktbelichtung der Wafer im lithografischen Verfahrendirect lithography on wafers (s.a. direct writing on the wafer)
Direktbelichtung der Wafer im Step-und-Repeat-Verfahrendirect wafer stepping
Direktbelichtung der Wafer im Step-und-Repeat-Verfahrendirect stepping on wafers
Direktmontage des Chips auf der Leiterplattedirect mount of chip to board
Direktschreiben der Bauelementstruktur mit einem Rasterelektronenstrahldirect writing of the device pattern with a scanning electron beam
Direktschreiben der Struktur auf Wafer mit Elektronenstrahldirect 1×E-beam writing on the wafer
Direktstrukturierung der Halbleiterscheibedirect slice writing
Dotierungsgradient an der Grenzflächeimpurity gradient at the interface
drahtfreie Kontaktierung mit der Chipkontaktseite nach untenface-down bonding
drahtgebundene Kontaktierung mit der Chipkontaktseite nach obenface-up bonding
Driftgeschwindigkeit der Teilchendrift velocity of the particles
Duplikat der Originalschablonecopy of the original mask
durch die Lichtwellenlänge bedingte Begrenzung der Auflösunglimitation of resolution imposed by the wavelength of light
Durchbiegung auf Grund der Schwerkraftgravitational sag
Durchbiegung in der Mittecentre-point bow
Durchgängigkeit der Metallisierungcontinuity of metallization
Durchsatz der ersten Ebenefirst-level throughput
Durchsatz der ersten Ebeneblind stepping throughput
durchschnittliche Anzahl der geprüften Einheiten je Losaverage total inspection
ein 4 mm breites Bild des Spalts in der Maskenebene erzeugencreate a 4.0-mm wide image of the slit at the mask plane
ein Steuerprogramm auf der Rücksetzstartadresse ladenload a control program at the reset start address (einlesen)
Einbau on von Fremdatomen während der Kristallzüchtungincorporation of the impurity during crystal growth
eine neue Kopie der Datei erzeugencreate a new copy of the file
einen Defekt als unterhalb der Defektgrößengrenze liegend einstufenclassify a defect as non-defective
einen Fehler während der Dateneingabe machencreate an error during data input
einen großen Teil der Chipfläche einnehmenconsume a large part of the die area (beanspruchen)
einen Teil der nächsten Adresse bildenform part of the next address
Einfallswinkel der Röntgenstrahlenangle of incidence of the X-rays
Einführung der ES-Mikrostrukturherstellungadvent of electron-beam microfabrication
Einhaltung der Abmessungendimensional control
Einhaltung der Elementbreite bis auf ± 0,1 μmfeature contral to ± 0.1 μm
Einhaltung der Härtungstemperatur bis auf ±2 °Ccontrol of baking temperature within ±2 °C
Einhaltung der Linienbreiteline size control
Einhaltung der Linienbreiteline width control
Einhaltung der Linienbreitecontrol of line width
Einhaltung der Meßbedingungenadherence to measurement procedures
Einhaltung der Strukturbreitefeature size control
Einhaltungstoleranz von 10 % der kleinsten Linienbreitecontrol tolerance of 10 % of the minimum line width
Einheitlichkeit der Strukturendie pattem uniformity
Einrichtung für die selektive Ignorierung der Eingabe-Ausgabe-Gerätefacility for selectively masking-off the I-O devices
Einschätzung der Schaltungsleistungcircuit performance evaluation
Einsetzen der Kassetten in die Ladekammerinsertion of cassettes into the load chamber
Einstellung der Maskenstrukturlageadjustment of mask pattem position
Einzelbelichtung der Chipsdie-by-die stepping
Elektronendurchtunnelung durch die gleichrichtende Sperrschicht der MIS-Strukturelectron tunnelling through the MIS rectifying barrier
Elektronendurchtunnelung durch die gleichrichtende Sperrschicht der MIS-Strukturelectron tunneling through the MIS rectifying barrier
Elektroneninjektion von der Quelleelectron injection from source
elektronenoptisches Prinzip der Erzeugung von Flächenstrahlenelectron-optical principle of forming shaped square electron beams
Elektronenstrahl-schreiben der Maskenstrukturelectron beam mask drawing
Elektronenübergang in der Schaleelectronic transition in the shell
elektrooptisches Abtasten der Waferkanten zur Vorjustierungelectrooptical sensing of the wafer edges for prealignment
Elemente der Assemblerspracheassembly language components
Elementgröße in der Einzelbildstrukturfeature dimension in the die pattern
endliche Ausdehnung der Röntgenquellefinite extent size of the X-ray source
Energieschwelle an der Silizium-Oxid-Grenzschichtenergy barrier at the silicon-oxide interface
Entladungszeitkonstante der Schaltungdischarging time constant of the circuit
Entwurf der Gatterebenegate level design
Entwurf der Schaltungcircuit design
epitaxiales Aufwachsen an der Substrat-Silizid-Grenzschichtepitaxial growth at the substrate-silicide interface
Erhaltung der Datendata retention
Erhöhen der Bondinselbumping of the pad
Erhöhen der Bondinselbumping
Erhöhung der oberen Frequenzgrenzeincrease in the upper frequency limit
Erstellung der Dateigeneration of the file
Erweiterungsfähigkeit der Elektronenstrahltechnik auf kleinere Strukturgrößenextendability of E-beam technology to smaller feature sizes
Exposition der Resists mit Elektronenelectron exposure of resists
Fehlanpassung der Kristallgitterlattice mismatch
Fehler der Tischposition kompensierencompensate for errors in stage position
Fehler durch Störung in der Anlagehang error
Fehler in der Tischpositionierung kompensierencompensate for errors in stage position
Fehlerlosigkeit der Strukturintegrity of the pattern
Fehlerort in der Bildebeneaberrated position in the image plane
Fehlstelle auf der Magnetoberflächeblemish on the magnetic surface
Feineinstellung der Geradlinigkeit und Rechtwinkligkeit beider Achsenfine setting of straightness and orthogonality of both axes
Feinheit der Strukturgrößefineness of feature size
Feinmessung der Strahlpositionfine beam position measurement
Flexibilität bei der Verarbeitung der Strukturdatenflexibility in handling the pattern data
Flächenelement der Öffnungelemental area of the aperture
Folge der Befehlsausführunginstruction execution sequence
Folge der Innenbondvorgängeinner lead bonding sequence
Forderung der gleichmäßigen Entwicklungdevelopment uniformity requirement
Formtreue der Strukturfidelity of the pattern
Formtreue in der Strukturübertragungfidelity in pattern transfer
fortschreitend höherer Entwicklungsstand der Halbleiterfertigungsverfahrenadvancing state-of-the-art in semiconductor fabrication processes
Fotorepeateranlage der ersten Generationfirst generation step-and-repeat exposure system (für Maskenherstellung)
Funktionalbaustein auf der Leiterplattefunctional module on the board
Führung der Bondanlageguide of the bonding system
Genauigkeit der Abmessungen der entwickelten Resiststrukturdimensional accuracy of the developed resist pattern
Genauigkeit der Zusammenfügungjoining accuracy
geradzahlige Spalten der Chipseven-number columns of chips
gesteuerte Beeinflussung der Eigenschaften des fertigen Bauelementscontrolled impact on final device characteristics
Getterbehandlung auf der Rückseite der Scheibegettering treatment applied to the backside of the slice
Getterimplantation auf der Rückflächegetter implantation on the back surface
gleichbleibende Qualität der Fotoresistsconsistent quality of the photoresists
gleiche Größe der Linienbreiten über das gesamte Bildfeld einhaltencontrol line sizes uniformly across the projection field
Gleichgewichtsdichte der Minoritätsladungsträgerequilibrium minority carrier density
Gleichmäßigkeit der Abbildungconsistency of the imagery
Gleichmäßigkeit der Belichtung in dem Feld von 1 cm²exposure uniformity across the 1 cm² field
Gleichmäßigkeit der Dotiermittelverteilungdoping-agent uniformity
Gleichmäßigkeit der Dotierungdoping uniformity
Gleichmäßigkeit der Linienbreiteline width uniformity (Strukturbreite)
Gleichmäßigkeit der Schichtcoating uniformity
Gleichmäßigkeit der Strukturendie pattem uniformity
Gleichungen der Booleschen LogikBoolean logic equations
gleichzeitiges Eintreffen der Daten in einem Punktarrival of data at one point at the same time
Grad der fehlerfreien Kristallgitterstrukturcrystal perfection
Grad der Selektierunglevel of screening
Grenze der nutzbaren Abbildunglimit of useful imagery
Grenze der Verarmungszoneborder of the depletion region
Grobmessung der Strahlpositioncoarse beam position measurement
Gründlichkeit der Reinigungcleaning thoroughness (z. B. von Masken)
Hafteffekt der Dickschichtpasteadhesive effect of thick film paste
Herabsetzung der Minoritätsträgerlebensdauerdegradation of minority carrier lifetime
Herstellung der Außenanschlüsseformation of leads
Herstellung von Retikeln als Zwischenschritt in der Maskenherstellunggeneration of reticles as an intermediate step in producing masks
Hierarchie der Strukturbelichtunghierarchy of pattern exposure
hoher Grad der fehlerfreien Kristallgitterstrukturhigh crystalline perfection
hoher Wiederholgrad in der Strukturhigh degree of repetition in the pattern
hohes Niveau der Fertigungstechnikhigh level of manufacturing technology
Impuls zur Auslesung der augenblicklichen Adressenaddress data strobe
in der Basis gespeicherte Ladungbase-stored charge
in der Bibliothek gespeicherte Standardschaltkreiselemente aufrufencall up standard circuit elements stored in the library
in Dialogverkehr mit der Außenwelt treteninteract with the outside world (stehen)
individuelle Justierung der Bildfelderindividual alignment of image fields
individuelle Justierung der Bildfelderexposure-by-exposure alignment
individuelle Justierung der Bildfelderdie-by-die alignment
individuelle Justierung der Bildfelderalignment by die
Innenanschlüsse mp/'der Zwischenträgerstrukturen für integrierte Schaltkreiseinner leads of the carrier's IC interconnection patterns
innere Enden der Anschlußbrückeninner ends of the tape's leads
innere Enden der Zwischenträgerbrükkeninner leads of the interconnects
innere Enden der Zwischenträgerstrukturinner ends of the lead pattern (die mit den Bondhügeln auf dem Halbleiterchip verbunden werden)
innere Spannung in der Resistschichtinternal stress in the resist film
intermolekulare Wechselwirkung an der Grenzschichtintermolecular interaction at the interface
Ionenstrahlätzen der Goldstrukturion-beam milling of the gold pattern
jede Folgestruktur mit der vorhergehenden zur Überdekkung bringenalign each successive pattem with the pattem previously used
jeden Staub von der Fokusebene fernhaltenkeep any dust out of the plane of focus
jedes Element einzeln zu dem entsprechenden Element in der vorher belichteten Struktur justierenalign each element individually to its corresponding element in the previously printed matrix
Justage der Zwischenträger zu den Bondhügeln der Chipsalignment of the tape leads to the chip bumps
Justiermarke der ersten Schichtfirst-layer alignment mark
Kantenböschung der Linieline edge slope
Kantenböschung der Linienline edge slope
Kantenrauhigkeit der Linieline edge blur
Kantenrauhigkeit der Linienline edge blur
Kantenschärfe der Linieline edge definition
Kantenschärfe der Linieline definition
Kantenschärfe der Linienline edge definition
Knick der Spannungs-Strom-Kennlinieknee of the voltage-current characteristic
Kommunikation mit der Außenwelt über elektrische Signalecommunication with the outside world via electrical signals
Kompensationsmöglichkeit der Anlagecompensating capability of the system
Kontaktierung von Maske und Wafer vor der Belichtungcontacting of both mask and wafer before exposure
Kontaktkopieren der Struktur auf das Bauelementsubstratcontact printing of the pattern onto the device substrate
Kontaktkopierung der Maske auf den Wafercontact duplication of the mask onto the wafer
Kontaktloch in der Montageplattein-board via
Kontrast zwischen der Marke und ihrem Umfeldcontrast between the mark and its surroundings
Kontrolle der Abmessungendimensional control
Kontrolle der Abmessungen nach einem Mikrodensitometerverfahrendimensional inspection in a microdensitometer mode
Kontrolle der Abmessungen von Strukturen integrierter Schaltkreisedimensional control of integrated circuit patterns
Kontrolle der Linienbreiteline width control
Kontrolle der Linienbreiteline size control
Kontrolle der Selbstdotierungcontrol of autodoping
Kontrolle der Strukturabmessungengeometry control
Konzentration der Fremdionenimpurity concentration
Kopie der Originalschablonecopy of the original mask
Kopiennummer der Dateicopy number of the file
Korrektur von Einflußfaktoren der Atmosphäreenvironmental correction
Kosten-Leistungs-Vorteil der technischen Ausrüstungcost-effective- performance advantage of hardware
kreisförmiger Spalt in der Objektebenecircular object plane slit
Kriechen der Ätzlösung unter die Resistschichtcreeping of the etching solution under the resist coating
kundenspezifische Gestaltung der Dotierungsprofilecustom-built tailoring of doping profiles
Kupferfolie der gewünschten Dickecopper foil of the desired thickness
Ladungstransport an der Si-SiO₂-Grenzflächecharge propagation at the Si-SiO₂ interface
Ladungszeitkonstante der Schaltungcharging time constant of the circuit
Lage der Anschlüsselead location
Lageplan der Chipfunktionselementefloor plan of the chip
Laminarbox der Staubklasse 100Class 100 laminar flow module
Lawinenwirkung in der Kollektorsperrschichtavalanche action in the collector junction
leitender Kanal unter der Gateoxidschichtconductive channel under the gate oxide layer
Liste der Inhalte zusammenhängender Speicherbereichelinear list
Liste der Inhalte zusammenhängender Speicherbereichedense list
Liste der Verbindungsangabenlink list
Länge der aktiven Zoneactive region length
Länge der Daten blockelength of blocks of data
Löcherdichte an der Oberflächehole density at the surface
Löcherdurchtunnelungsprozeß durch die gleichrichtende Sperrschicht der Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturhole tunnelling process through the MIS rectifying barrier
Löcherdurchtunnelungsprozeß durch die gleichrichtende Sperrschicht der Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturhole tunneling process through the MIS rectifying barrier
Lösen der Bindungbond breaking
μm Mikrolinienstrukturen in der Größenordnung von 1 pmfine line geometries of the order of 1
μm regelmäßiger Abstand der Linien von 5 μmline and space dimension pitch of 5
mangelnde Abbildungs- und Formtreue der Struktureninfidelity of the geometries
Maskenherstellungskapazität der Elektronenstrahlanlageelectron-beam mask making capacity
Masse der Strukturdatenbulk of the pattern data
Maß der Lagegenauigkeit einer Chipstrukturdie fit (in bezug auf Verschwenkung, Parallelverschiebung oder Verzerrung)
maßstäblich genaue Darstellung der integrierten Schaltungaccurately scaled representation of the integrated circuit chip
mehrere wesentliche Konstruktionsbesonderheiten in der Anlage berücksichtigenincorporate several features into the system
Methode der Programmerstellung von unten schrittweise bis zur höchsten Ebenebottom-brazed-up design
mit der Oberfläche nach unten auf Substrate bondenbond face down to substrates
mit der Oberfläche nach unten kleben aufglue face down to
mit der optischen Achse im Mittelpunktcentred about the optical axis
mit der schon vorhandenen Technik voll kompatibel seinfit in well with pre-existing technology
Mittenabstand der Elektrodencentre-to-centre electrode spacing
Mittenabstand der Linienline-centre to line-centre separation
Mittenabstand der Liniencentre-to-centre line spacing
Möglichkeit der automatischen Einzelchipjustierungautomatic die-by-die alignment capability
Möglichkeit der automatischen Handhabungin line capability (Bearbeitung)
Möglichkeit der Bearbeitung auf verschiedenen Gerätencross-matching capability (desselben Wafers)
Möglichkeit der Kombination linearer und digitaler Schaltungen im gleichen Siliziumchipdigilin capability
Möglichkeit der seriellen automatischen Einzelchipjustierungdie-by-die auto-align capability
Möglichkeit der Waferbeschädigungchance of wafer damage
Möglichkeit für die selektive Ignorierung der Eingabe-Ausgabe-Gerätefacility for selectively masking-off the I-O devices
Nachteile der Justier- und Belichtungsanlagendeficiencies of the mask aligners
Nachweis der durchgelassenen Röntgenstrahlendetection of the transmitted X-rays
Nichteinhaltung der Abmessunglack of dimensional control
Nichtflüchtigkeit der Blasenbubble non-volatility
Niveau der Selektierunglevel of screening
oberes Geschwindigkeitsende der Geschwindigkeit-Leistungs-Kurvehigh-speed end of the speed-power curve
Oberflächenverunreinigungen nach der Teilchengröße abstufengrade surface contaminations by particle size
Operation der Gleitpunktarithmetikfloating-point arithmetic operation
Originalvorlagen in zwanzigfacher Vergrößerung der endgültigen Bildgröße schneidencut artmasters at twenty times final image size
Packungsdichte der Bauelementstrukturendensity of device features
parallel zur x-Richtung der Tischverschiebung justierenalign parallel to the X-axis motion of the stage
p-Dotierungsstoffe der Schmelze beimengenadd p-dopants to the melt
physikalisch technischer Entwurf der Schaltunglayout of circuit
planare Komponente der Verzerrungin-plane component of distortion
Planung der Datenanordnungdata design layout
plötzliches Einsetzen der Rückstreuungabrupt onset of backscatter (Elektronenstrahllithografie)
Prognose der Schaltungszuverlässigkeitcircuit reliability prediction
Programme von der hierarchisch höchsten Programmkomponente schrittweise bis zur niedrigsten Ebene erstellenimplement programs in a top-down manner
Prüfung der logischen und elektrischen Integrität des Layoutsaudit of the logical and electrical integrity of the layout
Prüfung innerhalb der Maskeintramask check
Prüfung während der Verarbeitungin-process testing
Rasterabstand der Linien von 50 nmlines on 50 nm pitch
Raum der Staubklasse 100Class 100 room
Raumladungszone auf der - oder p-Seite des Übergangsjunction space-charge region on the n- or p-side
Rechtwinkligkeit der Achsenaxis orthogonality
Reduzierung der Entwurfsparameterdesign rule reduction
Reduzierung der Schaltkreisstrukturdie shrinking
Reflexionen von der Waferoberfläche abschwächenattenuate reflections from the wafer surface
Rentabilität der Herstellung integrierter Schaltkreiseeconomics of IC manufacturing
Rentabilität der Herstellung integrierter Schaltkreiseeconomics of IC fabrication
Reproduzierbarkeit der Defektmessungdefect measurement repeatability
Reproduzierbarkeit der Justierungalignment repeatability
Reproduzierbarkeit der Leistungconsistency of performance
Resistbearbeitungslabor der Staubklasse 100Class 100 resist processing lab
Richtigkeit der Justierung zwischen Retikeln in einem Satzcorrectness of alignment between reticles in a set
Richtungsfähigkeit der Ätzionendirectionality of the etching ions
Schaltkreis zur Bestimmung der Signalübertragungsgeschwindigkeitbaud rate generator
scharfer Knick in der Kurveabrupt break in the curve
Schicht von gleichmäßiger Dicke auf der gesamten Waferoberflächecoating of uniform thickness across the entire wafer surface
Schichtseite der Originalschabloneemulsion side of the master mask
Schnittpunkt der Wort- und Bitleitungenintersection of the word and bit lines
Schreiben der gewünschten Struktur im Resistdelineation of the desired pattern in the resist
Schwankung der Linienbreiteline size variation
Schärfe der Bildkantenacuity of image edges
Seitenverhältnis der Absorberstrukturabsorber pattern aspect ratio
seitliche Verschiebung der Strukturelementelateral displacement of features
sich an der Oberfläche ansammelnaccumulate at the surface
sich auf weniger als eine Lichtwellenlänge von der Maske erstreckenextend to a distance less than a wavelength of light away from the mask
sich der theoretischen Grenze in der optischen Achse nähernapproach the theoretical limit on axis
Sollposition der Einzelbilderdesired dice position
Spannung an der Basisemitterstreckebase-emitter voltage
Spannung an der Kollektor-Emitter-Streckecollector-emitter voltage
Spannungsabfall an der Basisemitterstreckebase-emitter voltage drop
Spannungsäquivalent der Nullpunktdriftdrift voltage equivalent
Sperrbereich der Diodediode cutoff region
Sperrschichtbreite der Schottkyschen Randschichtdepletion width of the Schottky barrier
Sperrwiderstand der Kollektorgrenzschichtcollector barrier resistance
Stabilität der Anschlußbrückenendenlead end stability
Staub aus der umgebenden Atmosphäredust-free from the ambient environment
Steilheit der Kanteedge slope
Steuerung der Ablaufverarbeitungjob-processing control
Steuerung der Auftragsfolgejob flow control
stromlose Verzinnung der Anschlußkammstreifenelectroless application of the tin coating on the lead frames
Struktur der Gatterebenegate level pattern
Struktur der Rückseiteback pattern
Struktur der Vorderseitefront pattern
Störstellengradient an der Grenzflächeimpurity gradient at the interface
tatsächlicher Koordinatenort jedes Elements in der Matrixactual X-Y location of each element in the array
Technologie der Herstellung integrierter SchaltkreiseIC process technology
Temperaturdrift der Offsetspannunginput offset voltage drift
Testen der Nullseriedesign testing
Teststruktur zur Messung der Defektdichtedefect measurement test pattern
thermische Erzeugung in der Masse.bulk thermal generation
Trennen der Chipsdie Separation
Umfang der elektrischen Prüfungamount of electrical testing
Umfang der Selbstdotierungamount of autodoping
Umgebungsbedingungen der Staubklasse 100Class 100 clean air conditions
Umkippen der Polaritätflipping
Umspeicherung der Daten von Blockpuffern zum Schiebesystemdumping of the data from block buffers to the shifter system
Ungenauigkeit der Algorithmenimprecision of the algorithms
Ungleichmäßigkeit der Beleuchtungillumination non-uniformity
Unschärfe durch die endliche Größe der Strahlungsquelleblur due to the finite source size
Unterbrechung der Verarbeitung durch Anlagenausfallinterruption of processing by a system failure
Unterbrechungslogik der Peripherieinterrupt logic of the I-O devices
Unterbrechungsregister zur Steuerung der Programmunterbrechungcontrol and interrupt register
untere Kante der Einzelbildstrukturbottom-brazed edge of the die pattem
unzulässiger Vorsatz mit der Bedeutung 10⁹kilomega
Verbesserung der Chipausbeutedie yield improvement
Verbiegen der Zwischenträgerbrückendisplacement of the leads
Verbindung der Gatterinterconnection of the gates
Verbindung mit Daten der Außenwelt für Messen und Steuerninterfacing with real-world data for measurement and control
Verbindungsmaterial der ersten Ebenefirst-level interconnect material
Verbreiterung der Böschungskantebroadening of step edges
Verbreiterung der Böschungskantenfacetting of the step edges
Verfahren der direkten Strukturübertragung auf Waferdirect-step-on-wafer technique
Verfahren der Übertragung kleinster Strukturen auf die Halbleiterscheibedirect-step-on-wafer technique
Verfahrenstechnik der Herstellung integrierter SchaltkreiseIC process technology
Verfügbarkeit der gespeicherten Daten am Speicherausgangavailability of the stored information at the output of the memory
Vergrößerung der Waferexpansion of wafers
verkleinerte Abbildung der Quelledemagnified image of the source
Verkleinerung der Linienbreitefeature size shrinkage
Verkleinerung der Strukturabmessungendown scaling of structural dimensions
Verschlechterung der Bildqualitätdegradation in image quality
Verschlechterung der Schablonenqualitätdeterioration of the mask quality
Verschmälerung der verbotenen Zoneforbidden gap narrowing
Verunreinigung der Rückseitebackside-bonded contamination (eines Wafers)
Vervielfältigung der belichteten Resiststrukturen mit hoher Auflösunghigh-resolution replication of the printed resist patterns
Verzeichnis der Datenelementedata element dictionary
Vielseitigkeit der Hardwarearchitekturarchitectural flexibility in hardware
von der Maskenstruktur kopierencopy from the mask structure
von der Oberfläche wegdiffundierendiffuse away from the surface
Wachsen der Epitaxialschichtgrowth of epitaxial layer
Wafer der Vorjustierstation übergebendeliver wafers to the prealignment station
Wanderungsgeschwindigkeit der Teilchendrift velocity of the particles
Weglaufen der Frequenzfrequency drift
weit oberhalb der Mitte der verbotenen Zone liegenlie well above mid-gap
wichtigster Parameter der MOS-Bauelementekey MOS device parameter
Wiederauffindung der Daten im Speicherdata retrieval from the memory
Wiederherstellung der Funktionstüchtigkeitfailure recovery
wirtschaftliche Bedeutung der Herstellung integrierter Schaltkreiseeconomics of IC manufacturing
wirtschaftliche Bedeutung der Herstellung integrierter Schaltkreiseeconomics of IC fabrication
Wirtschaftlichkeit der Herstellung integrierter Schaltkreiseeconomics of IC manufacturing
Wirtschaftlichkeit der Herstellung integrierter Schaltkreiseeconomics of IC fabrication
Wölbung in der Mittecentre-point bow
Zahl der Anschlußverbindungenlead count
Zahl der Gleitpunktoperationen je Sekundeflops
Zeit von der Belichtung bis zur Entstückungexpose to unload time
zentraler Parameter der MOS-Bauelementekey MOS device parameter
Zerbrechlichkeit der ultradünnen Membranefragility of the ultrathin membrane
Zugabe von Kupfer während der Aluminiumaufdampfungaddition of copper during the aluminium evaporation
Zugang zum Baustein mit der höchsten Priorität gewährengrant access to the module with the highest priority
Zugriffsabschnitt der Operationszyklenaccess portion of the cycles
zulässige Schwankung der Linienbreiteline width tolerance
Zuordnung der Registerallocation of registers
Zusammenbruch der Wechselspannunga.c. dump
Zusammenziehung der Wafercontraction of wafers
zusätzlicher Arbeitsgang der Bondhügelherstellung auf dem Waferadded Operation of bumping the wafer
Änderung der Linienbreiteline size variation
Änderung in der Zusammensetzungcompositional change
Öffnung in der Maskeaperture in the mask
Überdeckung der Vorder- und Rückseitenstrukturenfront-to-back registration
Überdeckungsgenauigkeit der Einzelfelderarray registration (im Chipverband)
Überdekkung der Masken von Ebene zu Ebenelevel-to-level registration of masks
Überdekkung der Schichten auf einem Waferlayer-to-layer overlay on a wafer
Übertragung der gewünschten Strukturen auf den Wafer mit hoher Abbildungs- und Formtreuehigh-fidelity transfer of the desired geometries onto the wafer
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