| Russian | German |
| активный запоминающий элемент на биполярных транзисторах | aktives Speicherelement mit bipolaren Transistoren |
| активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktiver MOS-Speicher |
| активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktives Speicherelement mit MOS-Feldeffekttransistoren |
| алмазно-абразивный круг для резки слитков на пластины или полупроводниковых пластин на кристаллы | Trennscheibe |
| алмазный круг для резки слитков на пластины или полупроводниковых пластин на кристаллы | Trennscheibe |
| анализатор на основе быстрого преобразования Фурье | FFT-Analysator |
| арсенидгаллиевый биполярный транзистор на гетеропереходах | GaAs-HJBT |
| ассоциативный процессор на СБИС-пластине | Wafer Scale Associative Processor |
| базовая бистабильная ячейка на МОП-структурах | MOS-Basis-Flipflop |
| базовая БЯ на биполярных транзисторах | bipolares Basisflipflop |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| БИС на КМОП-структурах | LSI-CMOS-Baustein |
| БИС на V-МОП-транзисторах | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| БИС на МОП-транзисторах с V-образными изолирующими канавками | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| матричная БИС на основе БМК | Universalschaltkreis |
| матричная БИС на основе БМК | Universalschaltkreischip |
| матричная БИС на основе БМК | Master-Slice-Schaltkreis |
| БИС на основе линейных макроэлементов | Linear-Makrozellen-Array |
| БИС на переключателях тока | hochintegrierte Stromschaltschaltungen |
| БИС на стандартных элементах | Standardzellen-IS |
| БИС на стандартных элементах | Standardzellen-Schaltkreis |
| БИС на стандартных элементах | Standardzellen-IC |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | gruppenintegrierter MOS-Schaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI-Schaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | integrierter MOS-Großschaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltung |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltkreis |
| быстродействующие БИС на переключателях тока | schnelle hochintegrierte Stromschaltschaltungen |
| быстродействующие ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| видео ЗУ на ПЗС | CCD-Bildspeicher |
| 4-входовый вентиль И НЕ на основе усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Vierfach-NAND-gatter |
| 4-входовый элемент И НЕ на основе усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Vierfach-NAND-gatter |
| вывод изображений на разделённый на области экран | Split-Screen-Darstellung |
| вывод на экран | Bildschirmanzeige |
| выполнение операций "на лету" | On-The-Fly-Funktion |
| выполненный на полупроводниковых приборах | mit Halbleiterbauelementen bestückt |
| выполненный на полупроводниковых приборах | auf Halbleiterbasis |
| выпрямитель на диоде Шоттки | Schottky-Gleichrichter |
| выпрямление на запирающем слое | Gleichrichtung an der Sperrschicht |
| высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| выходная проводимость при коротком замыкании на входе | negativer Ausgangskurzschlussleitwert |
| выходная проводимость при коротком замыкании на входе | Kurzschlussausgangsleitwert |
| выходная проводимость при холостом ходе на входе | negativer Ausgangsleitwert bei Leerlauf |
| выходная проводимость при холостом ходе на входе | negativer Ausgangsleerlaufleitwert |
| выходная проводимость при холостом ходе на входе | Leerlaufausgangsleitwert |
| выходная проводимость при холостом ходе на входе | Ausgangsleitwert bei Leerlauf des Eingangs |
| выходное сопротивление при холостом ходе на входе | negativer Ausgangsleerlaufwiderstand |
| выходной каскад на ТТЛ-схемах | TTL-Ausgangsstufe |
| гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия | GaAs-Heterostruktur-FET |
| гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия | GaAs-HFET |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-Heterostruktur-FET |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-HFET |
| граничная частота на входе | Eingangsgrenzfrequenz |
| датчик изображения на ПЗИ | Ladungsinjektions-Bildwandler |
| датчик изображения на ПЗС | ladungsgekoppelter Bildsensor |
| датчик изображения на фоторезисторах | Bildsensor mit Widerstandselektroden |
| датчик изображения на ПЗС с кадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
| датчик изображения на ПЗС с покадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
| датчик Холла на GaAs | GaAs-Hall-Sensor |
| датчик Холла на арсениде галлия | GaAs-Hall-Sensor |
| двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | Zweitransistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| делитель на два | 1:2:Teiler |
| делитель на десять | 1:10-Teiler |
| делитель на десять | 1:10:Teiler |
| делитель на схемах ТТЛ-Шоттки | Schottky-TTL-Teiler |
| делитель на три | 1:3-Teiler |
| делитель напряжения на два | Spannungsteiler von 2:1 |
| динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
| диод на GaAsP | GaAsP-Diode |
| диод на арсениде галлия | Galliumarseniddiode |
| диод на арсениде галлия | GaAs-Diode |
| диод на арсениде-фосфиде галлия | GaAsP-Diode |
| диод на галий-арсенид-фосфиде | GaAsP-Diode |
| диод на гетеропереходе | Heterodiode |
| диод на основе коллекторного перехода | Kollektordiode |
| диод на фосфиде галлия | Galliumphosphiddiode |
| диод на фосфиде галлия | GaP-Diode |
| диод с монополярной инжекцией на основе тантала сульфида кадмия индия | Ta-CdS-In-Diode |
| диод с монополярной инжекцией на основе тантала-сульфида кадмия-индия | Ta-CdS-In-Diode |
| диод Шоттки на GaAs | GaAs-Schottky-Diode |
| диод Шоттки на арсениде галлия | GaAs-Schottky-Diode |
| дисплей на ЦМД | Magnetblasendisplay |
| дисплей на ЦМД | Blasendisplay |
| дисплей на ЭЛТ | CBT-Display |
| дифференциальная логика на переключателях тока | Differenz-Stromachaltlogik |
| ждущий мультивибратор на КМОП-транзисторах | monostabiler CMOS-Multivibrator |
| запрос на прерывание | Unterbrechungsanforderung |
| запрос на прерывание | Unterbrechungsforderung |
| запрос на прерывание | Interruptanforderung |
| заряд состояний на поверхности раздела | Zwischenschichtladung |
| индикаторная матрица на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigematrix |
| индикаторная панель на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigetableau |
| индикаторный экран на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigeschirm |
| индикаторный экран на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeige |
| инжекционный лазер на pn-переходе | Injektionslaser mit pn-Übergang |
| инжекционный лазер на pn-переходе | Halbleiterinjektionslaser |
| кермет на основе неблагородных металлов | Trägermetallkermet |
| комбинация сигналов на входе схемы | Schaltungsbelegung |
| комбинированная структура на ПЗС и МОП БИС на одном кристалле | Charge-Coupled DeviceMetal-Oxide-Semiconductor Array Integrated Circuit |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| комбинированноеa ЗУ на гибких магнитных дисках и ЦМД | Flubble-Speicher |
| комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor |
| комплементарные логические схемы на переключателях тока | komplementäre Konstantstromlogik |
| комплементарные логические схемы на переключателях тока | C3L |
| комплементарные логические схемы на переключателях тока | Complementary Constant Current Logic |
| комплементарные логические схемы на переключателях тока | komplementare Konstantstromlogik |
| контроллер ЗУ на магнитной ленте | Bandsteuerung |
| контроллер на матричной БИС | Array-Controller |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Diskettenspeichersteuerung |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Floppy-Controller |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Steuereinheit |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Folienspeichersteuerung |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Folienspeichersteuereinheit |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Controller |
| контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Diskettenkontroller |
| контроллер накопителя на жёстких магнитных дисках | Hard-Disk-Controller |
| контроллер накопителя на жёстком магнитном диске | Festplatten-Controller |
| контроллер накопителя на магнитной ленте | Bandsteuereinheit |
| контроль качества позиционирования и монтажа компонентов на поверхность плат | SMD-Bestückungskontrolle |
| кремниевый островок на сапфировой подложке | SOS-Insel |
| линия задержки на ПАВ | Interdigitalleitung |
| линия задержки на ПАВ | Oberflächenwellenverzögerungsleitung |
| линия задержки на ПАВ | Oberflächenwellen-Verzögerungsleitung |
| линия задержки на ПАВ | AOW-Verzögerungsleitung |
| проекционная литография с переносом изображений непосредственно на полупроводниковые пластины | Wafer-Stepper-Lithografie |
| логика на буферных полевых транзисторах | Buffered FET Logic |
| логика на буферных полевых транзисторах | gepufferte FET-Logik |
| логика на интегральных микросхемах | Mikrologik |
| логика на КМОП-структурах | CMOS-Logik |
| логика на комплементарных МОП-структурах | CMOS-Logik |
| логика на переключателях с тока | Current Mode Logic |
| логика на переключателях тока | Current Mode Logic |
| логика на переключателях тока | stromgesteuerte Logik |
| логика на полевых транзисторах | FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direkt gekoppelte FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | Direct-Coupled FET Logic |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direktgekoppelte FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL |
| логика на токовых повторителях | CFL |
| логика на трансфлюксорах | MAD-Logik |
| логика на эмиттерных повторителях | Emitter-Follower Logic |
| логика на эмиттерных повторителях | Emitterfolgerlogik |
| малосигнальный высокочастотный режим работы транзистора при малых сигналах на высокой частоте | Kleinsignal-HF-Betrieb |
| межсоединение на кристалле | On-Chip-Verbindung |
| межсоединения на металлизационной системе "силицид на поликремнии" | Polycid-Leitbahnen |
| меню, высвечиваемое на экране дисплея | Bildschirmmenü |
| метод автоматизированной сборки ИС на гибком ленточном носителе | Filmbondingverfahren |
| метод автоматизированной сборки ИС на гибком ленточном носителе | automatisches Folienbondverfahren |
| метод автоматического совмещения электронного луча с реперными знаками на пластине | Elektronenstrahljustierverfahren (при электронно-лучевом экспонировании) |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | Local Oxydation of Silicon on Sapphire process |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | Local Oxydation of Silicon on Sapphire process KHC |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | LOSOS |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | LOSOS-Technik |
| метод монтажа бескорпусных ИС на керамической подложке увеличенных размеров | COB |
| метод монтажа бескорпусных ИС на керамической подложке увеличенных размеров | COB-Technik |
| метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | COB |
| метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | COB-Technik |
| метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | Chips On Board |
| метод проектирования БИС на основе БМК | Universalschaltkreistechnik |
| метод проектирования БИС на основе БМК | Master-Slice-Technik |
| метод проектирования на основе библиотеки макроэлементов | Makrozellenentwurf (и макроячеек) |
| метод экспонирования на микрозазоре | Proximity-Verfahren |
| метод экспонирования на микрозазоре | Abstandsverfahren |
| метод экспонирования на микрозазоре | Abstandsbelichtungsverfahren |
| механизм рекомбинации на ловушках | Haftstellenmechanismus |
| многослойная печатная плата на полиимидной плёнке | Polyimidmehrlagenleiterplatte |
| моделирование на ЭВМ | Rechneranalyse |
| моделирование на ЭВМ | Rechnersimulation |
| моделирование на ЭВМ | Computersimulation |
| модуляция на малой мощности | Vorstufenmodulation |
| мозаика на полупроводнике | Halbleitermosaikelektrode |
| мозаика на полупроводнике | Halbleitermosaik |
| мостовая схема на тиристорах | Thyristorbrücke (напр., усилителя) |
| мощность потерь на управляющем электроде | Steuerverlustleistung (тиристора) |
| мощность, рассеиваемая на коллекторе | Kollektorverlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на переходе база эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на переходе база-эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на участке коллектор эмиттер | Kollektor-Emitter-Verlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на участке коллектор-эмиттер | Kollektor-Emitter-Verlustleistung |
| мощность рассеяния на коллекторе | Kollektorverlustleistung |
| мощность рассеяния на эмиттере | Emitterverlustleistung |
| мощность рассеяния на эмиттерном переходе | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| мощный полевой транзистор Шоттки на GaAs | GaAs-Leistungs-FET |
| мощный полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия | GaAs-Leistungs-FET |
| накопитель магнитном диске на ГМД | Magnetfolienspeicher |
| накопитель на бегущей магнитной ленте | Tape-Streamer |
| накопитель на бегущей магнитной ленте | Streamer |
| накопитель на гибком магнитном диске | Magnetfolienspeicher |
| накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Drive |
| накопитель на гибком магнитном диске | Diskettenspeicher |
| накопитель на гибком магнитном диске | Diskettenstation |
| накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Drive (НГМД) |
| накопитель на гибком магнитном диске | Folienspeicher |
| накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Speicher |
| накопитель на гибком магнитном диске | Diskettenlaufwerk |
| накопитель на гибком магнитном микродиске | Mikrofloppy-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном микродиске | Mikro-Floppy-Disk-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном минидиске | Minifloppy-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном минидиске | Mini-Floppy-Disk-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном мини-диске | Minifloppy-Laufwerk |
| накопитель на гибком магнитном мини-диске | Mini-Floppy-Disk-Laufwerk |
| накопитель на ГМД | Magnetfolienspeicher |
| накопитель на ЖМД | Festplattenspeicher |
| накопитель на жёстком магнитном диске | Festplattenlaufwerk |
| накопитель на жёстком магнитном диске | Hard-Disk-Laufwerk |
| накопитель на жёстком магнитном диске | Festplattenspeicher |
| накопитель на жёстком магнитном диске | Festplatte |
| накопитель на жёстком магнитном диске | Festplattenspeicher |
| накопитель на жёстком магнитном диске | Magnetplattenspeicher |
| накопитель на жёстком минидиске | Mini-Hard-Disk-Laufwerk |
| накопитель на жёстком мини-диске | Mini-Hard-Disk-Laufwerk |
| накопитель на компакт-диске | Compact-Disk ROM |
| накопитель на компакт-диске | CD-ROM |
| накопитель на магнитном диске с фиксированными головками | Festkopfplattenspeicher |
| накопитель на микродиске | Mikrolaufwerk |
| накопитель на микродискете | Mikrodiskettenlaufwerk |
| накопитель на минидиске | Minilaufwerk |
| накопитель на мини-диске | Minilaufwerk |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
| наносить риски на поверхность пластины | einritzen |
| наносить царапины на поверхность пластины | einritzen |
| область формирования рисунка на подложке | Substratschreibfläche |
| обратное напряжение на коллекторном переходе | Kollektorsperrspannung |
| обратное напряжение на коллекторном переходе | Basis-Kollektor-Sperrspannung |
| обратное напряжение на управляющем электроде | Rückwärtssteuerspannung (тиристора) |
| обратный ток утечки через эмиттерный или коллекторный переход биполярного транзистора при холостом ходе на выходе или на входе | Leerlaufreststrom |
| одновибратор на КМОП-транзисторах | monostabiler CMOS-Multivibrator |
| однополюсный переключатель на два направления | SPDT-Schalter |
| однополюсный переключатель на одно направление | SPST-Schalter |
| операционный усилитель на КМОП-транзисторах | CMOS-Operationsverstärker |
| операционный усилитель на КМОП-транзисторах | CMOS-OPV |
| операционный усилитель на кремниевом кристалле | Si-Op-Amp |
| организация памяти с разбиением на банки | Speicherbankaufteilung |
| организация памяти с разбиением на банки | Bankeinteilung |
| ориентированный на использование в составе автоматизированного рабочего места | arbeitsplatzorientiert |
| отношение сигнал/шум на входе | Eingangsrauschabstand |
| отношение сигнал/шум на выходе | Ausgangsrauschabstand |
| отпирающее напряжение на управляющем электроде | Zündspannung (тиристора) |
| отпирающее напряжение на управляющем электроде | Steuerspannung (тиристора) |
| отпирающее напряжение на управляющем электроде | Einschaltspannung (тиристора) |
| падение напряжения на обеднённом слое | Spannungsabfall über der Sperrschicht |
| падение напряжения на области распределённого сопротивления | Bahnspannungsabfall |
| падение напряжения на участке эмиттер-база | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
| падение напряжения на эмиттерном переходе | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
| переключательный элемент на основе эффекта сверхпроводимости | Supraleitungsschaltelement |
| переходная плата SMD на DIP | SMD Adapterplatine SOT23/ SOP/ MSOP auf DIP (Olexi) |
| ПЗУ на ЦМД | Festwert-Domänenspeicher |
| подгонка номиналов резисторов непосредственно на кристалле ИС | On-Chip-Trimmen |
| подложка со структурой типа "кремний на сапфире" | SOS-Substrat |
| полировка на стальной плите | Polieren auf Stahlplatte |
| полупроводник на основе полупроводникового соединения | Verbindungshalbleiter |
| полупроводниковый прибор на сверхрешётке | Übergitterbaustein |
| прибор Ганна на GaAs | Galliumarsenid-Gunnelement |
| прибор Ганна на арсениде галлия | Galliumarsenid-Gunnelement |
| прибор на GaAs | GaAs-Bauelement |
| прибор на арсениде галлия | GaAs-Bauelement |
| прибор на магнитостатических волнах | MSW-Bauelement |
| прибор на многоквантовых ямах | MQW-Bauelement |
| прибор на n-МОП-структуре | NMOS-Bauelement |
| прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement |
| прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement NMOS-Bauelement |
| прибор на основе доменов сильного поля | Hochfelddomänenbauelement |
| прибор на ПАВ | akustisches Oberflächenwellenbauelement |
| прибор на ПАВ | SAW-Bauelement |
| прибор на ПАВ | SAW-Element |
| прибор на ПАВ | AOW-Bauelement |
| прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Element |
| прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Bauelement |
| прибор на поверхностных акустических волнах | akustisches Oberflächenwellenbauelement |
| прибор на поверхностных акустических волнах | SAW-Bauelement |
| прибор на поверхностных акустических волнах | AOW-Bauelement |
| прибор на поверхностных акустических волнах | SAW-Element |
| прибор на стеклообразном полупроводнике | Glashalbleiterbauelement |
| прибор на эффекте Ганна | Transfer-Element |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Transferred Electron Device |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferelement |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | TED |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferbauelement |
| прибор на эффекте Холла | Hall-Element |
| приборы на GaAs | GaAs-Technik |
| приборы на арсениде галлия | GaAs-Technik |
| присоединение кристаллов к паучковым выводам кристаллодержателя на гибком ленточном носителе | Spinnenbonden (микропайкой или ультразвуковой сваркой) |
| пробивное напряжение на коллекторе | Kollektordurchbruchsspannung |
| произведение ширины полосы на дальность действия | Bandbreite-Reichweite-Produkt (параметр световода) |
| произведение ширины полосы на дальность действия | Bandbreite-Reichweite-Produkt Bandbreite-Länge-Produkt (параметр световода) |
| произведение ширины полосы на дальность действия | Bandbreite-Länge-Produkt (параметр световода) |
| протяжка бумаги на одну строку | Zeilenvorschub |
| процессы рассеяния носителей заряда на акустических колебаниях решётки | Phononenprozesse (с поглощением фононов) |
| процессы рассеяния носителей заряда на тепловых колебаниях решётки | Phononenprozesse (с поглощением фононов) |
| прочность на излом | Bruchfestigkeit |
| прочность контактного соединения на отрыв | Bondzugfestigkeit |
| прочность на пробой | Durchbruchsfestigkeit |
| прочность на пробой | Durchbruchfestigkeit |
| прочный на пробой | spannungsfest |
| прямое напряжение на управляющем электроде | Vorwärtssteuerspannung (тиристора) |
| разбиение памяти на банки | Speicherbankaufteilung |
| разбиение памяти на банки | Bankeinteilung |
| разделение полупроводниковой пластины на кристаллы | Chipzerteilung |
| разделение полупроводниковой пластины на кристаллы | Chipvereinzelung |
| разряд на постоянном токе | Gleichstromentladung |
| рассеяние на акустических фононах | Streuung an akustischen Phononen |
| рассеяние на дислокациях | Streuung an Versetzungen |
| рассеяние на ионизированных атомах легирующей примеси | Streuung durch ionisierte Dotieratome |
| рассеяние на ионизированных примесных атомах | Streuung an ionisierten Störstellen |
| рассеяние на ионизированных примесях | Streuung an ionisierten Störstellen |
| рассеяние на ионизованных примесях | Streuung an ionisierten Störstellen |
| рассеяние на колебаниях атомов решётки | Streuung an Gitterschwingungen |
| рассеяние на колебаниях атомов решётки | Gitterstreuung |
| рассеяние на примесных атомах | Streuung an Fremdatomen |
| рассеяние на примесных центрах | Störstellenstreuung |
| рассеяние на примесях | Störstellenstreuung |
| рассеяние на примесях | Streuung an Störstellen |
| рассеяние на решётке | Gitterstreuung |
| рассеяние на тепловых колебаниях | Streuung an Wärmeschwingungen |
| рассеяние на тепловых колебаниях | Streuung an Gitterschwingungen |
| рассеяние на тепловых колебаниях решётки | Streuung an Phononen |
| рассеяние на тепловых колебаниях решётки | Streuung an akustischen Phononen |
| рассеяние на тепловых колебаниях решётки | Streuung an Gitterschwingungen |
| рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях решётки | Phononenstreuung |
| рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях решётки | Phononenstreuung |
| расщепление на подуровни | Aufspaltung in Unterniveaus |
| реакция на дельта-воздействие | Stoßantwort (на входе) |
| реакция на импульсное воздействие | Impulsantwort |
| реакция на линейно нарастающее воздействие | Rampenantwort (на входе) |
| реакция на линейно нарастающее воздействие | Anstiegsantwort (на входе) |
| реакция на ступенчатое воздействие | Sprungantwort (на входе) |
| режим захвата шины на один цикл | Vorrangmodus (одним из внешних устройств микропроцессорной системы для ввода-вывода данных в режиме прямого доступа к основной памяти) |
| резист на основе плёнки Лэнгмюра Блодже | Langmuir-Blodgett-Resist |
| резист на основе плёнки Лэнгмюра-Блодже | Langmuir-Blodgett-Resist |
| рекомбинация на дефектах | Störstellenrekombination |
| рекомбинация на дефектах | Rekombination an Defekten |
| рекомбинация на ловушках | indirekte Rekombination |
| рекомбинация на поверхностных состояниях | Oberflächenrekombination |
| рекомбинация на поверхностных состояниях | Rekombination an Oberflächenzuständen |
| СБИС, сформированная на целой полупроводниковой пластине | WSI-Schaltung |
| СБИС, сформированная на целой полупроводниковой пластине | Ganzscheibenschaltkreis |
| СБИС-компонент на КМОП-транзисторах | CMOS-VLSI-Baustein |
| сборка и монтаж кристаллов в кристаллодержатели с паучковыми выводами на гибком ленточном носителе | Spinnenmontage |
| сборка ИС на гибком ленточном носителе | Folienbonden |
| сборка компонентов для поверхностного монтажа на плате | SMD-Montage |
| сборка на компонентах поверхностного монтажа | Surface Mounted Assembly |
| светоизлучающий диод на GaP | Galliumphosphid-LED |
| светоизлучающий диод на GaAs | GaAs-Lumineszenzdiode |
| светоизлучающий диод на арсениде галлия | GaAs-Lumineszenzdiode |
| светоизлучающий диод на фосфиде галлия | Galliumphosphid-LED |
| светоизлучающий светодиод на GaP | Galliumphosphid-LED |
| светоизлучающий светодиод на GaAs | GaAs-Lumineszenzdiode |
| светоизлучающий светодиод на арсениде галлия | GaAs-Lumineszenzdiode |
| светоизлучающий светодиод на фосфиде галлия | Galliumphosphid-LED |
| СИД на GaP | Galliumphosphid-LED |
| СИД на GaAs | GaAs-Lumineszenzdiode |
| система записи на видеокассете | VCR-System |
| система на основе интегральных микросхем | integriertes System |
| система на основе интегральных элементов | integriertes System |
| система одновременной записи цифровых сигналов на параллельных дорожках | Stationary head DAT |
| система, основанная на использовании знаний | wissensbasiertes System |
| смеситель на полевых транзисторах | FET-Mischer |
| смеситель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с диодом Шоттки | Schottky-FET-Mischer |
| смеситель на туннельном диоде | Tunneldiodenmischer |
| совокупность интегральных структур, сформированных на полупроводниковой пластине | Waferverband |
| состояние на поверхности раздела | Grenzflächenzustand |
| состояния на границе | Grenzflächenzustände |
| состояния на поверхности раздела | Grenzschichtzustände (двух полупроводниковых кристаллов) |
| состояния на поверхностях раздела | Zwischenschichtzustände |
| состояния на поверхностях раздела | Grenzflächenzustände |
| спад коэффициента усиления 6 дБ на октаву | 6dB/Oktave-Abfall |
| среднее время наработки на отказ | mittlere Zeit zwischen zwei Störungen |
| средняя наработка на отказ | mittlerer Ausfallabstand |
| средняя наработка на отказ | mittlerer Abstand zwischen zwei Ausfällen |
| средняя наработка на отказ | MTBF-Wert |
| средняя наработка на отказ | Mean Time Between Failures |
| средняя наработка на отказ | mittlere Zeit zwischen zwei Störungen |
| средняя наработка на отказ | mittlere Betriebsdauer |
| статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базы | Spannungsübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером) |
| статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы | Spannungsübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером) |
| статическое ЗУПВ на ВПЭ-транзисторах | HEMT-SRAM |
| статическое ЗУПВ на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-SRAM |
| схема в базисе логики на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL-Schaltung |
| включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtontransistor |
| включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtonpaar |
| схема на биполярной микроматрице | bipolarer Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| схема на дискретных элементах | Schaltung mit diskreten Bauelementen |
| схема на криотронах | Kryotronschaltung |
| схема на МОП-микроматрице | MOS-Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| схема на ПЗИ | Ladungsinjektionsschaltung |
| схема на ПЗС | Ladungskopplungsschaltung |
| схема на полосковых линиях | Streifenleiternetzwerk |
| схема на ППЗ | Ladungstransferschaltung |
| схема на ППЗ | Ladungsverschiebungsschaltung |
| схема на ППЗ | Ladungssverschiebeschaltung |
| схема на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| схема с многопетлевой обратной связью и замыканием всех петель на вход схемы | FLF-Schaltung |
| схема сдвига на произвольное число битов | Barrel-Schifter |
| схема сдвига на произвольное число позиций | Barrel-Schifter |
| схема сдвига на произвольное число разрядов | Barrel-Schifter |
| индикаторное табло на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigetafel |
| телевизионная передающая камера на ПЗС | CCD-Matrixkamera |
| телевизионная передающая камера на ПЗС | CCD-Kamera |
| телевизионная передающая камера с матричным формирователем видеосигналов на ПЗС | CCD-Matrixkamera |
| терминал с выводом на печать | druckendes Terminal |
| терминал с устройством отображения информации на ЭЛТ | CRT-Terminal |
| технологический контроль непосредственно на линии | Online-Kontrolle |
| трёхуровневый квантовый генератор на твёрдом теле | Drei-Niveau-Festkörpermaser |
| усилитель на объёмных акустических волнах | akustoelektronischer Verstärker mit Volumenwellen |
| усилитель на объёмных акустических волнах | Volumenwellenverstärker |
| усилитель на ПАВ | akustoelektronischer Verstärker mit Oberflächenwellen |
| усилитель на ПАВ | SAW-Verstärker |
| усилитель на ПАВ | Oberflächenwellenverstärker |
| усилитель на паре Дарлингтона | Darlington-Verstärker |
| усилитель на паре Дарлингтона в цепи коллектора | Darlington-Kollektorverstärker |
| усилитель на плате | Leiterplattenverstärker |
| усилитель на поверхностных акустических волнах | akustoelektronischer Verstärker mit Oberflächenwellen |
| усилитель на поверхностных акустических волнах | Oberflächenwellenverstärker |
| усилитель на ППЗ | Ladungsverschiebeverstarker |
| усилитель на приборе Ганна | Gunn-Verstärker |
| усилитель на приборе Ганна | Elektronentransferverstärker |
| усилитель на тонкоплёночных ИС | Dünnschichtverstärker |
| усилитель на фотодиодах | Fotodiodenverstärker |
| усилитель, расположенный на кристалле | On-Chip-Verstärker |
| усилитель, расположенный на плате | Leiterplattenverstärker |
| усилитель-формирователь на КМОП-транзисторах | CMOS-Treiber |
| усилитель-формирователь на объединительной плате | Backplane-Treiber |
| усилитель-формирователь, расположенный на объединительной плате | Backplane-Treiber |
| установившийся ток короткого замыкания на выходе | Ausgangsdauerkurzschlussstrom |
| формирование БИС на целой полупроводниковой пластине | Wafer Scale Integration |
| формирование БИС на целой полупроводниковой пластине | Ganzscheibenintegration |
| формирование изображений на фотошаблонах | Primärstrukturerzeugung |
| формирование изображения с помощью сканирующего электронного луча непосредственно на пластине | Elektronenstrahldirektschreiben |
| формирование изображения с помощью сканирующего электронного луча непосредственно на шаблоне | Elektronenstrahldirektschreiben |
| формирование микрорельефа на поверхности полупроводниковой пластины | Waferstrukturierung |
| формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | Wafer Scale Integration |
| формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | WSI |
| формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | Scheibenintegration |
| формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | Ganzscheibenintegration |
| формирователь видеосигналов на МОП-структуре | MOS-Bildsensor |
| формирователь видеосигналов на ПЗИ | Ladungsinjektions-Bildwandler |
| матричный формирователь видеосигналов на ПЗИ | CID-Bildsensor |
| формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Bildwandler |
| формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Sensor |
| матричный формирователь видеосигналов на ПЗС | ladungsgekoppelter Bildsensor |
| формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Bildsensor |
| формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Bildaufnehmer |
| матричный формирователь видеосигналов на ПЗС с кадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
| формирователь видеосигналов на ПЗС с МОП-структурой | CCD-MOS-Bildsensor |
| матричный формирователь видеосигналов на ПЗС с покадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
| формирователь видеосигналов на фото-ПЗИ | Charge Image Device |
| матричный формирователь видеосигналов на фото-ПЗИ | Charge Injection Device |
| матричный формирователь видеосигналов на фото-ПЗИ | CID-Element |
| формирователь видеосигналов на фото-ПЗС | Fotowandler |
| формирователь видеосигналов на фото-ПЗС | Fotokonverter |
| фотолитография на микрозазоре | Quasikontaktlithografie |
| цифровая ИС на GaAs | digitale GaAs-Is |
| цифровая ИС на арсениде галлия | digitale GaAs-Is |
| цифровая ИС на арсениде галлия | digitale Galliumarsenid-IS |
| шум на входе | Rauscheinströmung |
| шум на входе при коротком замыкании на эмиттерном и коллекторном диодах | Kurzschlussrauscheinström-ung (биполярного транзистора) |
| шум на входе при коротком замыкании на эмиттерном и коллекторном диодах | Kurzschlussrauscheinstromung (биполярного транзистора) |
| ЭВМ на криогенных элементах | Kryorechner |
| ЭВМ на основе клеточной логики | Zellenrechner |
| ЭВМ на основе регулярной логики | Zellenrechner |
| экран на супертвистнематических жидких кристаллах | Supertwist-LCD-Bildschirm |
| экран на супертвистнематических жидких кристаллах | Supertwist-Flüssigkristall-Bildschirm |
| экран, разделённый на области | geteilter Bildschirm |
| экспонирование на микрозазоре | Proximity-Belichtung |
| экспонирование непосредственно на пластине | Direktbelichtung |
| экспонирование фоторезиста на полупроводниковой пластине | Waferbelichtung |
| электроннолучевая установка для непосредственного формирования изображения на пластине | Elektronenstrahldirektschreiber |
| электронно-лучевая установка для непосредственного формирования изображения на шаблоне | Elektronenstrahldirektschreiber |
| электроннолучевая установка для непосредственного формирования изображения на шаблоне | Elektronenstrahldirektschreiber |
| электронно-лучевое экспонирование с непосредственным формированием топологии на пластине | Elektronenstrahldirektbelichtung |
| электронолитография с непосредственным формированием топологии на пластине | direktschreibende Elektronenstrahllithografie |
| электронолитография с непосредственным формированием топологии на шаблоне | direktschreibende Elektronenstrahllithografie |
| элемент И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
| элемент ИЛИ НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NOR-Gatter |
| элемент на ВПЭ-транзисторах | HEMT-Bauelement |
| элемент на основе стеклообразного полупроводника | Glashalbleiterbauelement |
| элемент на основе туннельного эффекта | Tunnelelement |
| элемент на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-Bauelement |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Feldeffekttransistor mit dielektrischer Doppelschicht |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | DDC |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Dual Dielectric Charge storage |
| эмиттерный повторитель на комплементарных транзисторах | Komplementär-Emitterfolger |
| эмиттерный повторитель на паре Дарлингтона | Darlington-Emitterfolger |
| запоминающая ячейка двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| ячейка на МОП-структурах | MOS-Zelle |
