| Russian | German |
| излучающая двойная гетероструктура GaAlAs-GaAs | GaAlAs-GaAs-Heterostruktur |
| двойная гетероструктура | Doppelheterostruktur |
| двойная группа | Dublett |
| двойная дарлингтоновская структура | Zweifachdarlingtonstruktur |
| двойная дарлингтонов-ская структура | Zweifachdarlingtonstruktur |
| двойная диффузия для формирования p-n-перехода | p-n-Doppeldiffusion |
| двойная имплантация | Doppelimplantation |
| двойная инжекция | Doppelinjektion |
| двойная рефракция | Doppelbrechung |
| двойное лучепреломление | doppelte Lichtbrechung |
| двойной акцептор | Doppelakzeptor |
| двойной граничный слой | Doppelrandschicht |
| двойной диффузионный слой | doppeltdiffundierte Schicht |
| двойной диффузионный слой | doppeldiffundierte Schicht |
| двойной диффузионный слой | diffuse Doppelschicht |
| двойной запирающий слой | Doppelschicht |
| двойной запирающий слой | Doppelsperrschicht |
| двойной затвор | Doppelgate |
| двойной торцевой транзистор | bilateraler Transistor |
| двойной транзистор | Transistorpärchen |
| двойной фотодиод | Fotodoppeldiode |
| диод с двойной гетероструктурой | Doppelheterostrukturdiode |
| диод с двойной инжекцией | Doppelinjektionediode |
| интегральная МОП-схема с двойной диффузией | doppel diffundierter integrierter MOS-Schaltkreis |
| интегральная МОП-схема с двойной диффузией | doppelt diffundierter integrierter MOS-Schaltkreis |
| интегральная МОП-схема с двойной диффузией | doppelt diffundierte integrierte MOS-Schaltung |
| интегральная МОП-схема с двойной диффузией | doppel diffundierte integrierte MOS-Schaltung |
| интегральный резистор, изготовленный методом двойной диффузии | doppelt diffundierter integrierter Widerstand |
| интегральный резистор, изготовленный методом двойной диффузии | doppel diffundierter integrierter Widerstand |
| контроллер с двойным входом в канал | Zweikanaltorsteuerung |
| лазер на двойной гетероструктуре | Doppelheterostrukturlaser |
| логика с двойной эмиттерной связью | Logik mit doppelter Emitterkopplung |
| логика с двойной эмиттерной связью | EECL |
| магнитное двойное лучепреломление | magnetooptischer Kerr-Effekt |
| магнитное двойное лучепреломление | magnetische Doppelbrechung |
| метод двойного экспонирования | Doppelexpositionstechnik |
| метод двойной диффузии | Doppeldiffusion |
| метод двойной диффузии | Doppeldiffusionstechnik |
| метод двойной эпитаксии | Doppelepitaxietechnik |
| МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования | DIMOS |
| МОП-структура с двойной диффузией | doppeldiffundierte MOS-Struktur |
| МОП-структура с двойной диффузией | doppeltdiffundierte MOS-Struktur |
| МОП-структура с двойной диффузией | D/MOS-Struktur |
| МОП-структура с двойным поликремниевым затвором | Doppel-Poly-Si-Gate-MOS-Struktur |
| МОП-технология с двойной диффузией | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| МОП-технология с двойной диффузией | D/MOS-Technologie |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSAMOST |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOSFET |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | DIMOS |
| МОП-транзистор с самосовмещённым затвором, полученный методом двойной диффузии | MOSFET mit Diffusionsselbsteinstellung |
| планарно-эпитаксиальная технология с применением двойной диффузии | Epitaxie-Doppeldiffusionstechnik |
| плата двойного европейского формата | Doppeleuropakarte (233X160 мм2) |
| полевой МОП-транзистор с двойным затвором | MOS-Doppelgatefeldeffekttransistor |
| полевой МОП-транзистор с двойным затвором | Doppelgate-MOSFET |
| полевой транзистор с двойным затвором | Doppelgate-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с двойным затвором | Doppelgate-FET |
| прибор с двойной инжекцией | Doppelinjektionsbauelement |
| прибор с двойным затвором | Doppelgate-Bauelement |
| структура КМОП ИС с двойными карманами | Twin-Tub-CMOS |
| структура КМОП ИС с двойными карманами | Twinwellstruktur |
| технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Doppelwannentechnologie |
| технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии | DMIS-Verfahren |
| технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии | DMIS-Technik |
| технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией | Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Technik |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | D-MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии | Double-Diffused MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOS-Technik |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | Diffusion Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA MOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Twinwell-CMOS-Prozess |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Twin-Tub-CMOS |
| технология усовершенствованных 1-мкм КМОП ИС с двойными карманами | 1-μm-Twinwell-CMOS-Prozess |
| триак с двойной меза-структурой | Triac mit doppelter Mesa-Struktur |
| электрическое двойное лучепреломление | elektrische Doppelbrechung |
| электрическое двойное лучепреломление | Kerr-Effekt |
