English | Russian |
aluminium-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
aluminium-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
aluminum gate | алюминиевый затвор |
aluminum-gate CCD | ПЗС с алюминиевыми затворами |
aluminum-gate MOS device | МОП-прибор с алюминиевым затвором |
aluminum-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
aluminum-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
aluminum-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
AND gate | логический логическая схема И |
AND-OR-NOT invert gate | логический элемент И-ИЛИ-НЕ |
avalanche-injection stacked gate mos | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
back-gate MOS | МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристалла |
back-gate mos | МОП-структура с нижним затвором |
barrage gate | плотинный затвор |
barrier gate | затвор Шотки |
barrier-gate fet | полевой транзистор с барьером Шотки |
barrier-gate FET | полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки |
bear-trap gate | затвор бертреп |
bear-trap gate | крышевидный затвор |
binary logic gate | логический элемент |
binary logic gate | двоичный логический элемент |
binary-logic gate | двоичный логический элемент (ssn) |
bipolar insulated gate field-effect transistor | фирменное название ИС, содержащей биполярные транзисторы на выходе и полевые транзисторы с изолированным затвором |
bipolar insulated-gate field-effect transistor | прибор на основе комбинации биполярного транзистора и |
bipolar insulated-gate structure | биполярная структура с изолированным затвором (ssn) |
bipolar-insulated gate fet ic | ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами |
bottom edge of gate | нижняя кромка затвора |
bottom gate | донный затвор |
bottom gate | нижний затвор |
bottom gate junction | переход нижнего затвора (полевого транзистора) |
buffer gate | буферный логический элемент (ssn) |
buried-gate structure | структура с углублённым затвором |
capacitor-resistor-diode gate | элемент резисторно-конденсаторной диодной логики |
cast-iron slide gate | чугунный скользящий затвор |
channeled gate array | специализированная ИС на основе стандартных матриц логических элементов с каналами между соседними матрицами логических элементов |
channeled gate array | специализированная ИС с каналами между соседними матрицами логических элементов |
channelless gate array | специализированная ИС с одной большой матрицей логических элементов |
characterization of the 3-input NAND standard cell gate | характеристики стандартного элемента НЕ-И с тремя входами (ssn) |
coaster gate | колёсный затвор |
commonly available type of gate | наиболее распространённый тип элемента (ssn) |
complementary insulated-gate fet | комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором |
composite-gate mos structure | МОП-структура с многоуровневыми затворами |
control gate | затвор |
control gate | управляющий затвор |
controlled delay gate stealer | ретранслятор зондирующего импульса с регулируемой задержкой |
conventional symbol for the AND gate | условное обозначение логического элемента И (ssn) |
conventional symbol for the AND gate | условное обозначение элемента И (ssn) |
crawler gate | гусеничный затвор |
CRD gate | элемент резисторно-конденсаторной диодной логики |
current-mode logic gate | логический элемент на переключателях тока (ssn) |
cylinder gate | вертикальный цилиндрический затвор |
diagrammatic representation of the exclusive-NOR gate | условное представление элемента "исключающее ИЛИ-НЕ" (ssn) |
diffused-gate structure | структура с диффузионным затвором |
digital logic gate | логический элемент цифровой ИС |
disjunction gate | логический элемент включающее ИЛИ |
diversion gate | затвор для пропуска строительного расхода |
diversion gate | водоотводный затвор |
double-gate | с двойным стробированием |
double-gate FET | двухзатворный полевой транзистор |
double-gate field-effect transistor | двухзатворный полевой транзистор |
double-leaf vertical lift gate | сдвоенный плоский затвор |
draft tube gate | затвор отсасывающей трубы |
DTL gate | элемент диодно-транзисторной логики |
dual-gate field-effect transistor | двухзатворный полевой транзистор |
dual-gate MOSFET | двухзатворный МОП-транзистор |
dual-gate MOSFET | двухзатворный полевой МОП-транзистор |
dual-injection floating-gate MOS | МОП-структура с биполярной инжекцией и плавающим затвором |
dynamic transmission-gate edge-triggered registers | динамические регистры на проходных логических элементах, управляемые фронтом сигнала (ssn) |
dynamic transmission-gate edge-triggered registers | динамические регистры на проходных логических элементах, управляемые фронтом (сигнала ssn) |
dynamic transmission-gate registers | динамические регистры на проходных логических элементах (ssn) |
early-late gate synchronizer | синхронизатор с опережающим и запаздывающим стробированием |
emergency gate slot | паз аварийного затвора |
emitter-coupled gate | элемент логики с эмиттерными связями |
emitter-coupled gate | элемент ЭСЛ |
emitter-coupled logic gate | элемент ЭСЛ |
enable gate | отпирающий вентиль |
enabling gate | отпирающая цепь |
equivalent faults in a gate | эквивалентные неисправности в элементах (ssn) |
equivalent gate | эквивалентный логический элемент |
except gate | логический элемент запрета по входу |
exclusive-NOR gate | элемент "исключающее ИЛИ-НЕ" (ssn) |
exclusive-OR gate | элемент "исключающее ИЛИ" (ssn) |
expandable gate | логический элемент с возможностью расширения по входам |
falling delay at the output from the gate | задержка спада импульса на выходе логического элемента (ssn) |
falling delay at the output from the gate | задержка спада импульса на выходе логического вентиля (ssn) |
ferroelectric light gate | сегнетоэлектрический оптический логический элемент |
field-programmable gate array | программируемая логическая интегральная схема типа FPGA (masay) |
film gate | кадровое окно (кинокамеры) |
flat vertical gate | вертикальный плоский затвор |
flip-flop input gate | входной элемент триггера (ssn) |
floating-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором (transistor) |
floating-gate avalanche-injection MOS structure | МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
floating-gate avalanche-injection MOS structure | структура металл-оксид-полупроводник с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
floating-gate corner avalanche technology | технология приборов с плавающими кремниевыми затворами и лавинной инжекцией через угловые участки канала |
floating-gate device | прибор с плавающим затвором |
floating-gate ic | ИС на МОП-транзисторах с плавающими затворами |
floating-gate mos | МОП-структура с плавающим затворам |
floating-gate silicon process | технология ИС на МОП-транзисторах с плавающими кремниевыми затворами |
floating-gate transistor | МОП-транзистор с плавающим затвором |
floating Si-gate tunnel-injection MIS | МДП-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим затвором (transistor) |
floating si-gate tunnel-injection mis transistor | мдп-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим |
flush gate | промывной затвор |
flux gate | затвор потока |
flux-gate compass | феррозондовый гирокомпас |
forward gate voltage | напряжение включения по управляющему электроду |
free roller gate | вальцовый затвор |
functional logic gate | функциональный логический элемент (ssn) |
gallery gate | затвор галереи |
gate amplifier | усилитель селекторных импульсов |
gate amplifier | усилитель в схеме логического элемента |
gate and pin assignment | установление связей между узлами (на стадии размещения компонентов в машинном проектировании ПП) |
gate area | площадь затвора |
gate area | площадь ворот |
gate array | логическая матрица (с использованием концепции базовых ячеек) |
gate array | матрица временных селекторов |
gate-array approach | метод матриц логических элементов (напр. в САПР) |
gate-array approach | метод базового матричного кристалла |
gate-array device | логическая матрица (с использованием концепции базовых ячеек) |
gate-array device | матрица логических элементов |
gate-array integration | цифровая матричная ИС |
gate arrays | матрицы логических элементов (ssn) |
gate-assisted turn-off thyristor | тиристор, запираемый при участии управляющего электрода (ssn) |
gate associated transistor | транзистор с объединённым затвором |
gate bay | пролёт затвора |
gate bias | напряжение смещения на затворе |
gate-bias modulation | модуляция с помощью изменения напряжения смещения на затворе (полевого транзистора) |
gate-bias modulation | модуляция смещением на затворе |
gate board | плата вентильной схемы (или стробирующей схемы Верещагин) |
gate chamber | камера клапанов |
gate-channel junction | переход затвор-канал (полевого транзистора) |
gate charge | заряд затвора |
gate circuit | стробируемая цепь |
gate circuit | стробирующая схема |
gate circuit | строб-контур |
gate circuit | электронное реле |
gate circuit | стробируемая схема |
gate circuit | селекторная схема |
gate complexity | степень интеграции ИС в эквивалентных логических элементах |
gate connection | вывод управляющего электрода |
gate connection | вывод затвора (полевого транзистора) |
gate control | управление с помощью управляющего электрода |
gate control house | помещение для управления затвором |
gate-controlled delay time | время задержки по управляющему электроду |
gate-controlled diode | полевой транзистор |
gate-controlled rise time | время нарастания по управляющему электроду |
gate controlled switch | строб-управляемый выключатель |
gate-controlled turn-off time | время выключения по управляющему электроду (тиристора) |
gate current | ток управляющего электрода тиристора |
gate delay | время задержки сигнала на логический элемент |
gate delay | время задержки в логическом элементе |
gate density | плотность упаковки ИС в эквивалентных логических элементах |
gate density | плотность упаковки в эквивалентных логических элементах |
gate descriptor | дескриптор логического элемента |
gate-drain capacitance | ёмкость затвор-сток (полевого транзистора) |
gate-drain junction | переход затвор-сток (полевого транзистора) |
gate driver | драйвер для управления затвором (IGBT romea) |
gate-equivalent | элементарная ИС из 7-10 элементов, являющаяся условной единицей измерения степени интеграции БИС |
gate equivalent circuit | схема, эквивалентная логическому элементу (условная единица измерения степени интеграции цифровых ИС) |
gate-equivalent circuit | схема, эквивалентная логическому элементу |
gate fold | фальцовка "калиткой" |
gate frame | рама затвора |
gate guide | рельс затвора |
gate hoist | подъёмник затвора |
gate house | камера клапанов |
gate-injection mos | МОП-структура с инжекционным затвором |
gate-insulation breakdown | пробой изоляции затвора |
gate-insulator breakdown | пробой изоляции затвора |
gate leaf | обшивка затвора |
gate-level logic simulation | моделирование на уровне логических элементов (ssn) |
gate-level netlist | таблица соединений вентилей (ssn) |
gate-level simulation | моделирование на уровне логических элементов |
gate lifting device | подъёмная установка затвора |
gate lock | стопор затвора |
gate mobile communications control | подсистема управления подвижной связью |
gate non-trigger voltage | неотпирающее напряжение на управляющем электроде |
gate opening | отверстие затвора |
gate operating deck | пульт управления затвором |
gate operating mechanism | механизм управления затвором |
gate operating platform | платформа для управления затвором |
gate operating ring | регулирующее кольцо турбины |
gate operation | режим стробирования |
gate overlapping | перекрытие затворов |
gate-oxide defect | дефект подзатворного оксида |
gate-oxide integrity | целостность подзатворного оксида |
gate pier | бычок затвора |
gate pivot | ось вращения затвора |
gate probe | зонд затвора (SBSun) |
gate-pulse amplifier | усилитель стробирующих импульсов |
gate-pulse amplifier | усилитель селекторных импульсов |
gate rail | рельс затвора |
gate recess | впадина для затвора |
gate recess | углубление для затвора |
gate seat | опорная поверхность затвора |
gate servomotor | сервомотор направляющего аппарата |
gate shaft | шахта затвора |
gate slab | бетонная плита затвора плотины |
gate-source capacitance | ёмкость затвор-исток (полевого транзистора) |
gate-source junction | переход затвор-исток (полевого транзистора) |
gate stealer | ретранслятор зондирующего импульса |
gate stem | стержень затвора |
gate threshold voltage | пороговое напряжение включения (полевого транзистора MasterK) |
gate-to-channel diode | переход затвор-канал (в полевом транзисторе) |
gate-to-channel junction | переход затвор-канал (полевого транзистора) |
gate-to-drain field | поле между затвором и стоком (полевого транзистора) |
gate-to-drain impedance | полное сопротивление перехода затвор-сток |
gate-to-drain impedance | полное сопротивление перехода затвор-сток |
gate-to-drain impedance | полное сопротивление затвор-сток |
gate-to-drain junction | переход затвор-сток (полевого транзистора) |
gate-to-source impedance | полное сопротивление перехода затвор-исток |
gate-to-source junction | переход затвор-исток (полевого транзистора) |
gate-to-substrate breakdown | пробой изоляции затвора |
gate trap | ловушка затвора |
gate-triggered didt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания |
gate-triggered di/dt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания тока управляющего электрода (в тиристорах) |
gate-triggered diode | полевой транзистор |
gate-triggered dvdt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания |
gate-triggered dv/dt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания напряжения управляющего электрода (в тиристорах) |
gate triggering of thyristor | включение тиристора по управляющему электроду (ssn) |
gate turn-off | тиристор с выключением по управляющему электроду (thyristor) |
gate underlaid transistor | прибор, представляющий собой комбинацию стандартного n-p-n транзистора и полевого транзистора с р-n переходом |
gate valve | запирающая лампа |
gate voltage | напряжение затвора |
gate well | шахта задвижки |
gate well | колодец затвора |
gate-width | ширина пропускания |
grooved-gate mos-transistor | МОП-транзистор с v-образным затвором |
guard gate | охранный затвор |
head-gate duty | производительность пропуска воды для головного затвора |
heterojunction-gate FET | полевой транзистор с затвором на гетеропереходе |
high pressure gate | затвор высокого давления |
hoist gate lifting device | установка для подъёма затвора |
hydraulic operate gate | гидравлический затвор |
hydraulical operate gate | гидравлический затвор |
I2L gate | элемент И2Л |
I2L gate | элемент интегральной инжекционной логики |
IC logic gate | интегральная логическая схема |
i2l gate | элемент И2Л |
inclusive NOR gate | логический элемент включающее ИЛИ НЕ |
inclusive OR gate | логический элемент включающее ИЛИ |
indicator gate | стробирующий импульс электронно-лучевого индикатора |
indicator gate | селекторный импульс электронно-лучевого индикатора |
input gate | входной логический элемент |
input gate | входной элемент (ssn) |
input gate | входной затвор (ПЗС) |
3-Input NAND Gate Cell | Элемент НЕ-И с тремя входами (ssn) |
3-input NAND standard cell gate | стандартный элемент НЕ-И с тремя входами (ssn) |
input of a buffer gate | вход буферного логического элемента (ssn) |
insulated gate | изолированный затвор |
insulated-gate | с изолированным затвором (ssn) |
insulated-gate device | прибор с изолированным затвором |
insulated-gate electrode | изолированный электрод затвора |
insulated-gate FET | полевой МДП-транзистор |
insulated-gate field-effect transistor | полевой МДП-транзистор |
insulated gate structure | структура с изолированным затвором |
insulated gate structure | структура "кремний на диэлектрике" |
insulated-gate tetrode | полевой тетрод с изолированным затвором |
integrated injection logic gate | элемент И2Л |
integrated injection logic gate | элемент интегральной инжекционной логики |
integrated injection logic gate | логический элемент с инжекционным питанием |
inverted logic gate | инвертирующий логический элемент |
isolated-gate fet | полевой транзистор с изолированным затвором |
isolated-gate mos | МОП-структура с изолированным затвором |
isolated-gate p-n-p-n switch | тиристор с изолированным управляющим электродом |
isolated oxide polysilicon gate CMOS | вариант комплементарной МОП структуры с поликремниевым затвором и окисной изоляцией |
isolated silicon-gate cmos | КМОП ИС с изолированными кремниевыми затворами |
junction-gate device | прибор с плоскостным затвором |
junction-gate fet | полевой транзистор с управляющим p-n переходом |
junction-gate FET | полевой транзистор с управляющим p-n-переходом |
junction gate FET | полевой транзистор с p-n переходом |
junction-gate thyristor | тиристор с p-n-переходом в области управляющего электрода |
latching Boolean gate | логическая схема с фиксацией состояния (ssn) |
latching Boolean gate | логическая схема с "защёлкой" (ssn) |
latching Boolean gate | логический элемент с "защёлкой" (ssn) |
latching Boolean gate | логический элемент с фиксацией состояния (ssn) |
lifting gate | подъёмный шлагбаум |
linear function of the transition delay of the previous gate | линейная функция задержки перехода предыдущего логического элемента (ssn) |
long gate length FET | полевой транзистор с длинным затвором (ssn) |
long gate length field effect transistor | полевой транзистор с длинным затвором (ssn) |
long gate length field-effect transistor | полевой транзистор с длинным затвором (ssn) |
loss of gate control | потеря управления по управляющему электроду (в тиристорах) |
magnetic gate | магнитный логический элемент |
metal gate | металлический затвор |
metal-gate MOS device | МОП-прибор с металлическим затвором |
metal gate transistor | транзистор с металлическим затвором |
metal-gate transistor | полевой транзистор с металлическим затвором |
metal-nitride-semiconductor/insulated gate FET | полевой транзистор с изолированным затвором и нитридным изолирующим слоем |
metal-oxide-semiconductor gate | затвор МОП-структуры |
metal-oxide-semiconductor gate | логический элемент на МОП-транзисторах |
metal-Schottky gate field-effect transistor | полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки |
mix gate | логический элемент включающее ИЛИ |
MOS gate | затвор МОП-структуры |
MOS insulated-gate field-effect transistor | полевой МОП-транзистор с изолированным затвором |
motor-operated main gate valve | электрический главный клапан |
movable gate | подвижный затвор |
multiemitter gate | логическая схема на многоэмиттерном транзисторе |
multilayer-gate FET | полевой транзистор с многослойным затвором |
multilayer-gate transistor | полевой транзистор с многослойным затвором |
n-gate thyristor | тиристор с управляющим электродом п-типа |
n-gate thyristor | тиристор с n-управляющим электродом |
n+ poly gate | затвор из поликристаллического кремния n+-типа |
nand gate | логический элемент И-НЕ |
NAND gate | логический элемент И НЕ |
n-channel depletion insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
n-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
n-channel silicon gate | кремниевый затвор n-канальной МОП-структуры |
negation gate | логический элемент НЕ |
negative and gate | логический элемент И-НЕ |
negative AND-gate | логический элемент И НЕ |
negative OR gate | логический элемент включающее ИЛИ НЕ |
NEITHER-NOR gate | логический элемент включающее ИЛИ НЕ |
nitride gate | затвор с изолирующим слоем из нитрида кремния |
nmos silicon gate | кремниевый затвор n-канальной МОП-структуры |
nondisjunction gate | логический элемент включающее ИЛИ НЕ |
nonunate gate | логический элемент неотрицающего множества |
nor-gate phase shifter | фазовращатель на логических элементах или не |
not surprisingly, the output of the gate rises 5 ps after the rising edge is applied to the input, and it falls 8 ps after the falling edge is applied to the input | не удивительно, что напряжение на выходе логического элемента возрастает через 5 пс после приложения к входу фронта импульса, и падает через 8 пс после снятия импульса на входе (см. 'The Design Warrior's Guide to FPGAs' by Clive "Max" Maxfield 2004) |
not-and gate | логический элемент И-НЕ |
NOT-AND gate | логический элемент И НЕ |
open-collector gate | элемент с открытым коллектором (ssn) |
operating gate | рабочий затвор |
optical gate | оптический селекторный импульс |
optical gate | оптический логический элемент |
OR gate | логический элемент включающее ИЛИ |
OTHER-OR gate | логический элемент включающее ИЛИ |
out gate | выходной логический элемент |
outer gate | внешний затвор |
output of the gate | напряжение на выходе логического элемента (ssn) |
output of the gate | выход логического элемента (ssn) |
output of the upper gate | выходной сигнал от верхнего элемента (ssn) |
overlapping-gate structure | структура с перекрывающимися затворами (в ПЗС) |
p-gate thyristor | тиристор с p-управляющим электродом |
pair of cross-connected NOR gates | пара перекрёстно соединённых логических элементов НЕ-ИЛИ (ssn) |
p-channel depletion insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
p-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
p-channel metal-gate technology | технология изготовления транзисторов с каналом p-типа и металлическим затвором |
p-channel silicon gate | кремниевый затвор p-канальной МОП-структуры |
Pd-gate MOS transistor | МОП-транзистор с палладиевым затвором |
phantom AND gate | несуществующий элемент И (ssn) |
phantom AND gate | мнимый элемент И (ssn) |
pin-to-gate ratio | число выводов на одну логическую схему |
pmos silicon gate | кремниевый затвор p-канальной МОП-структуры |
p-n junction gate | логический элемент на основе p-n-перехода |
polysilicon-gate CCD | ПЗС с поликристаллическими кремниевыми затворами |
previous gate | предыдущий вентиль (ssn) |
previous gate | предыдущий логический элемент (ssn) |
process control gate | пост операционного контроля |
radial gate | секторный затвор |
range gate | селектор no дальности |
range gate | селектор дальности |
range-gate stealer | ретранслятор зондирующего импульса с регулируемой задержкой |
readout gate | логический элемент считывания |
recessed gate | сдвинутый затвор (МОП-прибора) |
refractory gate | затвор из тугоплавкого металла |
refractory gate MOS | разновидность МОП структуры, отличающаяся высокой нагревостойкостью |
refueling slot gate | заслонка на перегрузочную площадку |
refuelling slot gate | заслонка на перегрузочную площадку |
regenerative gate | исправляющий строб (ssn) |
release gate | выпускной затвор |
resistive gate-insulator-semiconductor | структура МДП транзистора с резистивным затвором |
resistive insulated gate | резистивный изолированный затвор |
resonant-gate FET | полевой транзистор с резонансным затвором |
resonant-gate transistor | МОП транзистор с "резонансным" затвором |
resonant-gate transistor | полевой транзистор с резонансным затвором |
ring gate | вертикальный цилиндрический затвор |
ring seal gate | затвор с кольцовым уплотнением |
roller drum gate | катко-барабанный затвор |
rolling gate | вальцевый затвор |
RTL gate | элемент РТЛ |
RTL gate | элемент резисторно-транзисторной логики |
sand gate | затвор для промывки песка |
sand trap scour gate | промывочный затвор с песочной ловушкой |
scan gate | сканирующий затвор (ПЗС) |
scan gate | перемещающийся селекторный импульс |
Schottky barrier gate | логический элемент на транзисторах с барьерами Шоттки |
Schottky gate | логический элемент на транзисторах с барьерами Шоттки |
Schottky-gate FET | полевой транзистор с барьером Шотки |
Schottky-gate FET | полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки |
Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital device | цифровой прибор на эффекте междолинного переноса электронов с затвором в виде барьера Шотки |
Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital device | цифровой прибор на эффекте Ганна с затвором в виде барьера Шотки |
Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital device | цифровой ганновский прибор с затвором в виде барьера Шотки |
Schottky-barrier isolated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором в виде барьера Шотки |
Schottky-barrier-coupled Schottky-barrier-gate GaAs field-effect-transistor logic | логическая ИС на полевых транзисторах из GaAs с барьером Шоттки, связанных между собой также барьерами Шоттки |
scour gate | промывочный затвор |
screw and worm gate lifting device | подъёмное устройство для подъёма затвора с первичным винтом |
seal gate valve | герметизирующая задвижка |
sealed gate | изолированный затвор |
selective oxide coating of silicon gate | селективное окисное покрытие на кремниевом затворе |
self-aligned gate field-effect transistor | полевой транзистор с самовыравнивающимся затвором |
self-aligned gate MOS | МОП структура с самосовмещёнными затворами |
self-collapsing gate | саморазрушающийся затвор |
Sensitive Gate SCR | тиристор с чувствительным затвором (Maxim Sh) |
short-gate FET | полевой транзистор с коротким затвором |
short-gate field-effect transistor | полевой транзистор с коротким затвором |
Shottky gate | затвор в виде барьера Шотки |
Shottky-barrier gate | затвор в виде барьера Шотки |
silicon gate | кремниевый затвор |
silicon-gate-controlled AC switch | двухоперационный триодный тиристор |
silicon-gate-controlled AC switch | двухоперационный тринистор |
silicon gate MOS | МОП прибор с кремниевым затвором |
silicon-gate MOS IC | МОП ИС с кремниевыми затворами |
silicon-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с кремниевыми затворами |
silicon gate MOS memory device | ЗУ на МОП-приборах с кремниевым затвором |
silicon-gate MOS memory device | ЗУ на МОП-транзисторах с кремниевыми затворами |
silicon gate technology | технология изготовления ИС с кремниевыми затворами |
silicon insulated gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором |
simple-gate IC | ИС с простыми логическими элементами |
single-gate MOSFET | однозатворный полевой МОП-транзистор |
single-gate MOSFET | однозатворный МОП-транзистор |
single-event gate rupture | Пробой подзатворного диэлектрика в мощных МОП-транзисторах (происходит в результате попадания в транзистор тяжёлых заряженных частиц с высокой энергией Klimonka) |
sluice gate | затвор промывки |
special shaped gate | специальный сформированный логический элемент (Термин относится не только к микроэлектронике, но и к информатике, поскольку в программах есть свои логические элементы. Konstantin 1966) |
special shaped gate | специальный логический элемент (Термин относится не только к микроэлектронике, но и к информатике, поскольку в программах есть свои логические элементы. Konstantin 1966) |
spillway gate | водосбросный затвор |
spillway gate | поверхностный затвор |
stacked gate | многослойный затвор |
stacked-gate avalanche-injection MOS | МОП структура лавинно-инжекционного типа с пакетным наборным затвором |
stacked-gate tetrode | тетрод с многослойным затвором |
stated gate | логический элемент с "защёлкой" |
stated gate | логическая схема с фиксацией состояния |
stated gate | логическая схема с "защёлкой" |
stated gate | логический элемент с фиксацией состояния |
stateless gate | логическая схема без фиксацией состояния |
stateless gate | логическая схема без "защёлки" |
stateless gate | логический элемент без "защёлки" |
stateless gate | логический элемент без фиксации состояния |
steam gate valve | паровой клапан |
Stoney gate | катковый затвор |
stop log gate | шандорный балочный затвор |
stop log gate slot | паз шандорного затвора |
submicron gate FET | полевой транзистор с субмикронным затвором |
substrate gate | задний затвор |
substrate gate | тыловой затвор |
sum of all input pin capacitances of gates connected to the output of this gate | сумма всех входных ёмкостей элементов, соединённых с выходом данного логического элемента (ssn) |
swap gate | логический элемент обмена |
switching threshold of the gate | порог переключения вентиля (ssn) |
T2L gate | элемент ТТЛ |
T2L gate | элемент транзисторно-транзисторной логики |
tail gate | затвор нижнего бьефа |
there are two ways of cascading two-input exclusive-OR gates | Существует два способа каскадного соединения элементов "исключающее ИЛИ", имеющих по два входа |
tilting gate | опрокидывающийся затвор |
tilting hinged-leaf gate | затвор опрокидывающейся шарнирной обшивки |
top gate | верхний затвор |
top gate junction | переход верхнего затвора (полевого транзистора) |
top input of the upper NAND gate | верхний вход верхнего элемента И-НЕ (ssn) |
transfer gate | логический элемент передачи |
transfer gate | электрод, управляющий переносом заряда в транзисторе с поверхностным зарядом |
transfer gate | транзистор с поверхностным зарядом (имеет три перекрывающихся электрода, которые отделены от полупроводника и друг от друга тонкими изолирующими плёнками) |
transmission gate | проходной логический элемент (ssn) |
transmission gate | передаточный вентиль (элемент переключательной логической схемы ssn) |
transmission gate | передаточный логический вентиль (элемент переключательной логической схемы ssn) |
transmission gate-based lookup table | таблица соответствия на основе передаточных вентилей (ssn) |
transmission gate-based LUT | таблица соответствия на основе передаточных вентилей (ssn) |
transmission-gate register | регистр на проходных логических элементах (ssn) |
transmission-gate registers | регистры на проходных логических элементах (ssn) |
trash gate | сороудерживающий затвор |
travelling gate hoist | передвижная лебёдка для затвора |
travelling gate hoist | передвижная лебёдка |
tri-state gate | элемент с тремя состояниями (ssn) |
true gate | логический элемент прямого кода |
TTL gate | элемент ТТЛ |
TTL gate | элемент транзисторно-транзисторной логики |
tunneling cryotron gate | управляющий провод туннельного криотрона |
turbine gate | затвор перед турбиной |
two-gate FET | двухзатворный полевой транзистор |
two-input exclusive-OR gate | элемент "исключающее ИЛИ", имеющий два входа (ssn) |
two-input exclusive-OR gate | двухвходовый элемент "исключающее ИЛИ" (ssn) |
two-input NOR gate | двухвходовый логический элемент ИЛИ-НЕ (ssn) |
two-input NOR gate | логический элемент 2ИЛИ-НЕ (ssn) |
two-level polysilicon gate technology | метод двукратного наращивания поликристаллического кремния |
type of gate | тип элемента (ssn) |
undershot gate | затвор нижнего выброса |
universal gate array | базовый кристалл |
universal gate array | универсальный массив вентилей |
universal gate array | матричная БИС |
universal logic gate | универсальный массив вентилей |
universal logic gate | базовый кристалл |
universal logic gate | матричная БИС |
unused input of an AND gate | неиспользуемый вход логического элемента И (ssn) |
unused input of an AND gate | неиспользуемый вход вентиля И (ssn) |
unused input of an OR gate | неиспользуемый вход логического элемента ИЛИ (ssn) |
unused input of an OR gate | неиспользуемый вход вентиля ИЛИ (ssn) |
unused input of gate | неиспользуемый вход логического элемента (ssn) |
unused input of gate | неиспользуемый вход вентиля (ssn) |
unused inputs of an AND gate | неиспользуемые входы логического элемента И (ssn) |
unused inputs of an AND gate | неиспользуемые входы вентиля И (ssn) |
unused inputs of an OR gate | неиспользуемые входы логического элемента ИЛИ (ssn) |
unused inputs of an OR gate | неиспользуемые входы вентиля ИЛИ (ssn) |
unused inputs of gate | неиспользуемые входы логического элемента (ssn) |
unused inputs of gate | неиспользуемые входы вентиля (ssn) |
upper gate | верхний элемент (ssn) |
upper NAND gate | верхний элемент И-НЕ (ssn) |
variable-threshold gate | логический элемент с переменным порогом |
vertical-lift gate | плоские подъёмные ворота |
VMOS gate | логический элемент на МОП-транзисторах с V-образными канавками |
wide-gate multivibrator | широкостробный мультивибратор (ssn) |
wide-gate multivibrator | мультивибратор длительной засветки (ssn) |
wire following the gate | провод, следующий после логического элемента (ssn) |
XNOR gate | логический элемент исключающее ИЛИ НЕ |
XOR gate | логический элемент исключающее ИЛИ |
zero-match gate | логический элемент ИЛИ HE |